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公开(公告)号：CN117219667A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210619933.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子加固的鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底上具有凸起的Fin条，Fin沟道的两端分别是源区和漏区，Fin沟道的顶部和两侧由内向外依次覆盖栅介质和栅电极，其特征在于，所述源区和漏区采用非对称结构：源区下方无介质层，直接与衬底相连；漏区下方具有介质层，且介质层将漏区和衬底完全隔离；沟道区下方(全部或部分位置)具有介质层。该器件在FinFET的沟道和漏区下方插入局部介质层，阻止单粒子入射后在衬底产生的电荷被漏区收集，从而减小单粒子瞬态电流。相比于传统体硅FinFET器件，该结构FinFET器件有更好的抗单粒子瞬态能力。另外，源区与衬底直接相连，比SOIFinFET具有更好的散热能力。
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