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公开(公告)号：CN100438327C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510011928.0
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器，该混频器包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件、电阻、电感、电容，将射频信号和本振信号同时加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置电压以保证器件工作在饱和区，其负载采用电阻、电感、电容或者是三者之间的任意组合，上述MOSFET器件为一个或若干个双栅场效应晶体管，射频信号分别从上述双栅场效应晶体管的前栅/背栅输入，本振信号分别从上述双栅场效应晶体管的背栅/前栅输入，由于在同一个双栅MOS器件中实现了本振信号和射频信号的同时输入，实现了低电压下的混频，有利于低压和低功耗工作，可用于深亚微米RF CMOS电路的应用。
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公开(公告)号：CN1601707A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009631.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。
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公开(公告)号：CN1601695A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009629.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数，并且制造工艺方法简单、易操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1697312A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510011927.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源，本发明增加了两个与共源输入MOSFET完全相同的MOSFET，其中一个MOSFET的栅端与输入正信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入负信号的共源MOSFET漏端相连(负输出端)，另一个MOSFET的栅端与输入负信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入正信号的共源MOSFET漏端相连(正输出端)。由于充分利用了深亚微米MOSFET器件工作在饱和区和工作在截止区时器件的栅漏电容相同的特点，本发明具有低压低功耗、高反向隔离度。
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公开(公告)号：CN1697311A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510011928.0
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器，该混频器包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件、电阻、电感、电容，将射频信号和本振信号同时加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置电压以保证器件工作在饱和区，其负载采用电阻、电感、电容或者是三者之间的任意组合，上述MOSFET器件为一个或若干个双栅场效应晶体管，射频信号分别从上述双栅场效应晶体管的前栅/背栅输入，本振信号分别从上述双栅场效应晶体管的背栅/前栅输入，由于在同一个双栅MOS器件中实现了本振信号和射频信号的同时输入，实现了低电压下的混频，有利于低压和低功耗工作，可用于深亚微米RF CMOS电路的应用。
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公开(公告)号：CN100459417C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510011927.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源，本发明增加了两个与共源输入MOSFET完全相同的MOSFET，其中一个MOSFET的栅端与输入正信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入负信号的共源MOSFET漏端相连(负输出端)，另一个MOSFET的栅端与输入负信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入正信号的的共源MOSFET漏端相连(正输出端)。由于充分利用了深亚微米MOSFET器件工作在饱和区和工作在截止区时器件的栅漏电容相同的特点，本发明具有低压低功耗、高反向隔离度。
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公开(公告)号：CN1323421C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410009629.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数，并且制造工艺方法简单、易操作。
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公开(公告)号：CN1315160C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410009631.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。
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