公开(公告)号：CN104332442A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410616327.1

申请日：2014-11-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  黎明 ,  安霞 ,  赵阳 ,  张冰馨 ,  刘朋强 ,  夏宇轩 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明工艺简单，与传统硅基CMOS工艺兼容，易于实现。