网络搜索中的基于链接层次分类的主题爬取方法

    公开(公告)号:CN101101601A

    公开(公告)日:2008-01-09

    申请号:CN200710118591.2

    申请日:2007-07-10

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 张铭 周毅 江云亮

    Abstract: 本发明公开一种网络搜索中的基于链接层次分类的主题爬取方法。该方法包括以下步骤:(1)构造训练集;(2)将种子网页加入待爬队列;(3)爬取待爬队列中所有URL,解析新爬取下的网页,提取出所有的链接;(4)对于每一个新的链接根据训练集分类,然后根据所属的链接类别确定该链接的优先级,将其URL加入相应的优先队列;(5)按照顺序查看优先队列,取优先级最高的非空队列中的所有URL放入待爬队列中,跳到第(3)步,其它队列保持不变;(6)优先队列全部为空或到达指定爬取循环次数则爬取结束。本发明能够有效利用锚文字和URL等有用信息分析链接的层次性,在深层次网页拓扑上展开分析和爬取。

    SOC硅衬底的加工方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1601707A

    公开(公告)日:2005-03-30

    申请号:CN200410009631.6

    申请日:2004-09-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法,包括:将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线,并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封,其中不带电路一面的胶带上留有小孔,即是要腐蚀的区域;将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上,将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极,用金属Pt片作腐蚀电路的阴极;向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液,溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O=1∶1∶2;开通腐蚀电路,并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5~50mA/cm2范围内,腐蚀时间3~5小时;将加工后的硅片清洗,去除防酸胶带并干燥处理,经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作,并且与常规CMOS工艺技术相兼容。

    射频平面螺旋集成电感的加工方法

    公开(公告)号:CN1601695A

    公开(公告)日:2005-03-30

    申请号:CN200410009629.9

    申请日:2004-09-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法,包括,在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线,并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封,背面的胶带上留有小孔;将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上,将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极,用金属Pt片作腐蚀电路的阴极;向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液,溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O=1∶1∶2;开通腐蚀电路,并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5~50mA/cm2范围内,腐蚀时间3~5小时;将加工后的硅片清洗,去除防酸胶带并临界干燥处理,经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数,并且制造工艺方法简单、易操作。

    射频平面螺旋集成电感的加工方法

    公开(公告)号:CN1323421C

    公开(公告)日:2007-06-27

    申请号:CN200410009629.9

    申请日:2004-09-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法,包括,在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线,并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封,背面的胶带上留有小孔;将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上,将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极,用金属Pt片作腐蚀电路的阴极;向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液,溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O=1∶1∶2;开通腐蚀电路,并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5~50mA/cm2范围内,腐蚀时间3~5小时;将加工后的硅片清洗,去除防酸胶带并临界干燥处理,经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数,并且制造工艺方法简单、易操作。

    SOC硅衬底的加工方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1315160C

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200410009631.6

    申请日:2004-09-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法,包括:将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线,并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封,其中不带电路一面的胶带上留有小孔,即是要腐蚀的区域;将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上,将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极,用金属Pt片作腐蚀电路的阴极;向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液,溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O=1∶1∶2;开通腐蚀电路,并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5~50mA/cm2范围内,腐蚀时间3~5小时;将加工后的硅片清洗,去除防酸胶带并干燥处理,经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作,并且与常规CMOS工艺技术相兼容。

    网络搜索中的基于链接层次分类的主题爬取方法

    公开(公告)号:CN100461184C

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200710118591.2

    申请日:2007-07-10

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 张铭 周毅 江云亮

    Abstract: 本发明公开一种网络搜索中的基于链接层次分类的主题爬取方法。该方法包括以下步骤:(1)构造训练集;(2)将种子网页加入待爬队列;(3)爬取待爬队列中所有URL,解析新爬取下的网页,提取出所有的链接;(4)对于每一个新的链接根据训练集分类,然后根据所属的链接类别确定该链接的优先级,将其URL加入相应的优先队列;(5)按照顺序查看优先队列,取优先级最高的非空队列中的所有URL放入待爬队列中,跳到第(3)步,其它队列保持不变;(6)优先队列全部为空或到达指定爬取循环次数则爬取结束。本发明能够有效利用锚文字和URL等有用信息分析链接的层次性,在深层次网页拓扑上展开分析和爬取。

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