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公开(公告)号：CN120010195A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510263143.X
申请日：2025-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空纳米胶片的电子束斑强度分布表征方法，属于微纳加工技术领域。本发明为解决现有技术在电子束光刻机应用中辐射损伤、可重复性差及引入额外散射干扰等问题，主要采用基于硅晶圆的标准微电子工艺制造悬空纳米胶片结构，通过曝光显影表征电子束斑的强度分布。本方法能够在兼容原有电子束光刻机工艺环境的基础上，实现电子束斑的精准表征，无需背面曝光，简化了工艺步骤，有效避免了电子散射和边缘溅射的干扰。
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公开(公告)号：CN119574337A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411567485.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热驱的微梁弯曲强度在线检测系统、制造方法及应用，属于微电子机械系统领域。本在线检测系统包括片上试验机和片上被测试样，片上试验机主要包括热驱加载执行器、双梁隔热结构、V型放大杠杆、感兴趣区域定位标记结构和双锤头结构，片上被测试样主要包括刚性块状结构、弯曲测试梁和弹性悬挂折叠梁。本发明的片上试验机依靠自身的电阻梁发热进行能量加载和释放，能够实现上电后全自动的弯曲断裂强度在线检测及测试结果提取，可用来进行深刻蚀释放工艺的监控以及对于MEMS器件结构的可靠性预测。
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公开(公告)号：CN118209409A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410164356.2
申请日：2024-02-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于微梁单轴压缩测试的系统及其制造方法。该系统包括压缩片上试验机和探针台，其中压缩片上试验机包括探针加载结构、五个锚点、四个悬挂折叠梁、两个形变量标尺、两个指针、两个弹性梁和传力杆；四个悬挂折叠梁的一端连接探针加载结构，另一端固定于五个锚点中的第一至四个锚点上，第五个锚点连接微梁试样；两个弹性梁的中间连接传力杆；传力杆的一端连接微梁试样，另一端连接两个指针；两个指针用于标记两个形变量标尺的刻度；探针加载结构、四个悬挂折叠梁、两个形变量标尺、两个指针、两个弹性梁和传力杆为可动结构。本发明能够对微梁结构进行单轴压缩测试以提取其断裂时的应力强度，进而有助于进行材料的破坏规律研究。
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公开(公告)号：CN117647564A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311409128.9
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射气敏薄膜的单悬梁式气体传感器及其制造方法，属于微电子机械系统和气体检测技术领域。本发明提出将磁控溅射工艺制备的气敏薄膜与单悬梁式微热板集成，在实现小尺寸、低功耗的同时，与磁控溅射、图形化制备气敏薄膜的兼容性较好，具有可批量、可重复性好、气敏薄膜结构和成分均匀可控的优势；采用加热电极和测量电极共面设计，提高了生产效率，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN119492609A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411520229.8
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了原位片上冲击拉伸强度在线检测系统及其制造方法及应用，属于微电子机械系统加工技术领域，其中片上试验机包括：被测微梁、被冲击质量块、双锤头结构、一和二类探针加载结构、锁扣结构、锁齿结构、一至三类弹性悬挂折叠梁、弹性储能梁、弹性梁、动力栓和第一至第五固定锚点。本系统利用片上试验机与探针台相结合，提取被测微梁结构在受到冲击拉伸断裂时的断裂强度。通过本系统进行被测微梁的冲击拉伸强度在线检测，具有和宽量程和可重复性的优点，方法简单，不需要借助大型精密仪器及热驱加载及卸载机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118464664B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410917110.8
申请日：2024-07-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于微梁四点弯曲测试的系统及其制造方法及应用，属于微电子机械系统加工技术领域。本系统利用片上试验机、片上试样和用于对片上试验机施加负载力的探针台相结合，提取微梁四点弯曲断裂时的应力。其中片上试验机包括一个第二锚点、一对悬挂梁、一个探针加载结构、一对线性测力弹簧、两个指针对、一对第一标尺、一对第二标尺、两个支撑头和一个第三锚点，片上试样包括两个第一锚点、两根柔性支撑梁、两个加载块和一个弯曲测试梁。本系统可用来探究微尺度下硅梁的破坏规律，为MEMS器件的强度设计做参考，以及监控刻蚀释放工艺的质量。
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公开(公告)号：CN118464664A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410917110.8
申请日：2024-07-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于微梁四点弯曲测试的系统及其制造方法及应用，属于微电子机械系统加工技术领域。本系统利用片上试验机、片上试样和用于对片上试验机施加负载力的探针台相结合，提取微梁四点弯曲断裂时的应力。其中片上试验机包括一个第二锚点、一对悬挂梁、一个探针加载结构、一对线性测力弹簧、两个指针对、一对第一标尺、一对第二标尺、两个支撑头和一个第三锚点，片上试样包括两个第一锚点、两根柔性支撑梁、两个加载块和一个弯曲测试梁。本系统可用来探究微尺度下硅梁的破坏规律，为MEMS器件的强度设计做参考，以及监控刻蚀释放工艺的质量。
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公开(公告)号：CN120004211A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411968952.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法，属于MEMS传感器与CMOS芯片制造领域。本发明为解决压阻芯片与CMOS电路单片集成过程中制造复杂度高、成本高的问题，主要采用标准CMOS工艺中的多种离子注入工艺的组合，并通过修改版图生成规则，精确生成压阻敏感单元的掩模版图案，从而实现压阻敏感单元的多种掺杂浓度分布设计。本方法能够制造出具有不同性能指标的单片集成CMOS电路的压阻芯片，适应多样化的应用需求，并且兼容于标准CMOS工艺，具有低研发成本、大规模生产的优势，广泛适用于商业CMOS代工厂的生产，可满足压阻芯片快速增长的市场需求。
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公开(公告)号：CN113845083B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202111098479.3
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO2层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K+的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。
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公开(公告)号：CN119024639A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411005471.1
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束斑的片上表征方法，属于微纳加工技术领域。本方法通过制造束斑表征芯片，使用电子束在芯片的悬空薄膜测试区上以不同曝光剂量写入测试版图图形，获取多组曝光重叠数据；建立驻留时间、曝光重叠与光刻胶灵敏度的函数关系，并进行非线性最小二乘法拟合得到束斑高斯函数的参数；将得到的参数代入电子束斑高斯函数中，得到电子束斑的尺寸和剂量分布。本方法操作简单，与电子束光刻工艺环境兼容性好，准确度高。
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