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公开(公告)号：CN111564489A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010430790.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种纳米线离子栅控突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明结合了围栅纳米线良好的一维输运特性和离子栅控双电层体系中低操作电压的优势，与现有的基于二维材料或者有机材料的平面大尺寸突触晶体管相比，能够实现更低的功耗和更小的面积开销。另外，其优良的器件一致性和CMOS后端集成特性，使得其有潜力运用到未来大规模神经形态计算电路中。
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公开(公告)号：CN111564489B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010430790.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种纳米线离子栅控突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明结合了围栅纳米线良好的一维输运特性和离子栅控双电层体系中低操作电压的优势，与现有的基于二维材料或者有机材料的平面大尺寸突触晶体管相比，能够实现更低的功耗和更小的面积开销。另外，其优良的器件一致性和CMOS后端集成特性，使得其有潜力运用到未来大规模神经形态计算电路中。
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公开(公告)号：CN109244031B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201810827277.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种单面区域腐蚀的夹具和腐蚀方法。该夹具包括：夹具上部，其上端开口，底部设有通孔；载片，位于所述夹具上部的下方；O型圈组，位于所述夹具上部和所述载片之间，且位于所述通孔下方；所述O型圈组包括外部O型圈和内部O型圈，所述外部O型圈用于阻止外部水浴溶液进入，所述内部O型圈用于在其内部放置被腐蚀芯片并阻止腐蚀液腐蚀流出；夹紧装置，用于使所述夹具上部和所述载片夹紧。进一步还可包括压力平衡环、磁转子、表面保护膜等。本发明实现了腐蚀面向上的单面腐蚀，利于腐蚀气体排出，能够对芯片的单面的部分区域进行可靠腐蚀，保护其他区域不受影响，并能够在腐蚀穿通条件下稳定可靠。
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公开(公告)号：CN109244031A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810827277.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种单面区域腐蚀的夹具和腐蚀方法。该夹具包括：夹具上部，其上端开口，底部设有通孔；载片，位于所述夹具上部的下方；O型圈组，位于所述夹具上部和所述载片之间，且位于所述通孔下方；所述O型圈组包括外部O型圈和内部O型圈，所述外部O型圈用于阻止外部水浴溶液进入，所述内部O型圈用于在其内部放置被腐蚀芯片并阻止腐蚀液腐蚀流出；夹紧装置，用于使所述夹具上部和所述载片夹紧。进一步还可包括压力平衡环、磁转子、表面保护膜等。本发明实现了腐蚀面向上的单面腐蚀，利于腐蚀气体排出，能够对芯片的单面的部分区域进行可靠腐蚀，保护其他区域不受影响，并能够在腐蚀穿通条件下稳定可靠。
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公开(公告)号：CN105186600B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510497749.6
申请日：2015-08-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种无线自供能充电服，属于无线能量传输技术领域。当衣物之间或者衣物与外界摩擦时会产生摩擦电荷，摩擦电荷的相对运动会在电极上产生感应电流，这些电能被电极捕获并通过无线传输的方式传递给接收电极并对待充电设备进行充电。包含辅助能量采集电极、发射电极、接收电极以及外部衣物，发射电极靠近充电位置，接收电极位于待充电设备上，并与待充电设备用导线连接。本发明具有能量采集供功能，无须外部供电,相较于传统充电装置充电空间不受限制。可在用户无意识中完成充电过程，不需要额外操作，极大简化了充电过程，制作工艺简单，成本低，有利于大规模生产。在便携式电子设备和可穿戴设备方面有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105186600A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510497749.6
申请日：2015-08-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种无线自供能充电服，属于无线能量传输技术领域。当衣物之间或者衣物与外界摩擦时会产生摩擦电荷，摩擦电荷的相对运动会在电极上产生感应电流，这些电能被电极捕获并通过无线传输的方式传递给接收电极并对待充电设备进行充电。包含辅助能量采集电极、发射电极、接收电极以及外部衣物，发射电极靠近充电位置，接收电极位于待充电设备上，并与待充电设备用导线连接。本发明具有能量采集供功能，无须外部供电,相较于传统充电装置充电空间不受限制。可在用户无意识中完成充电过程，不需要额外操作，极大简化了充电过程，制作工艺简单，成本低，有利于大规模生产。在便携式电子设备和可穿戴设备方面有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113013337A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110205256.6
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种自选择修饰的互补性光突触晶体管及其制备方法，属于面向神经形态计算应用的突触器件领域。本发明结合具有高光敏特性的卟啉和具有良好低维输运特性的围栅硅纳米线体系，同时通过利用氮化硅和氧化硅的亲疏水性差异，实现了卟啉在硅纳米线上的富集，从而提高光突触器件的灵敏度。此外针对目前光突触器件只能实现增强特性或者抑制特性的特点，通过卟啉与不同掺杂类型的硅纳米线的相互作用，可以实现具有互补特性的光突触特性，使得其有潜力运用到未来人工视觉神经网络中。
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公开(公告)号：CN111627981B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010383738.6
申请日：2020-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/822
Abstract: 本发明实施例公开了一种易扩展加工的原位TEM电学芯片及其制作方法，电学芯片包括硅基片，硅基片的正面由里向外依次覆盖第一薄膜层、第一绝缘层、第一金属层和第二绝缘层；硅基片的正面具有第一窗口区域，第一窗口区域由外向里穿透第二绝缘层、第一金属层和第一绝缘层延伸至第一薄膜层表面；硅基片的背面覆盖第二薄膜层，硅基片的背面具有第二窗口区域，第二窗口区域由外向里穿透所述第二薄膜层和所述硅基片延伸至第一薄膜层。通过在原有的TEM电学芯片的基础上设计第一窗口区域和第二窗口区域，利用稳定可靠、具有普适性的工艺技术，可在第一窗口区域实现后续的材料组装、器件制备等扩展工艺加工。
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公开(公告)号：CN111627981A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010383738.6
申请日：2020-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/822
Abstract: 本发明实施例公开了一种易扩展加工的原位TEM电学芯片及其制作方法，电学芯片包括硅基片，硅基片的正面由里向外依次覆盖第一薄膜层、第一绝缘层、第一金属层和第二绝缘层；硅基片的正面具有第一窗口区域，第一窗口区域由外向里穿透第二绝缘层、第一金属层和第一绝缘层延伸至第一薄膜层表面；硅基片的背面覆盖第二薄膜层，硅基片的背面具有第二窗口区域，第二窗口区域由外向里穿透所述第二薄膜层和所述硅基片延伸至第一薄膜层。通过在原有的TEM电学芯片的基础上设计第一窗口区域和第二窗口区域，利用稳定可靠、具有普适性的工艺技术，可在第一窗口区域实现后续的材料组装、器件制备等扩展工艺加工。
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公开(公告)号：CN208753293U
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201821184066.0
申请日：2018-07-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本实用新型涉及一种单面区域腐蚀的夹具。该夹具包括：夹具上部，其上端开口，底部设有通孔；载片，位于所述夹具上部的下方；O型圈组，位于所述夹具上部和所述载片之间，且位于所述通孔下方；所述O型圈组包括外部O型圈和内部O型圈，所述外部O型圈用于阻止外部水浴溶液进入，所述内部O型圈用于在其内部放置被腐蚀芯片并阻止腐蚀液腐蚀流出；夹紧装置，用于使所述夹具上部和所述载片夹紧。进一步还可包括压力平衡环、磁转子、表面保护膜等。本实用新型实现了腐蚀面向上的单面腐蚀，利于腐蚀气体排出，能够对芯片的单面的部分区域进行可靠腐蚀，保护其他区域不受影响，并能够在腐蚀穿通条件下稳定可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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