公开(公告)号：CN111627981B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010383738.6

申请日：2020-05-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志宏 ,  于博成 ,  孙梅 ,  陈清 ,  邓佳文

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明实施例公开了一种易扩展加工的原位TEM电学芯片及其制作方法，电学芯片包括硅基片，硅基片的正面由里向外依次覆盖第一薄膜层、第一绝缘层、第一金属层和第二绝缘层；硅基片的正面具有第一窗口区域，第一窗口区域由外向里穿透第二绝缘层、第一金属层和第一绝缘层延伸至第一薄膜层表面；硅基片的背面覆盖第二薄膜层，硅基片的背面具有第二窗口区域，第二窗口区域由外向里穿透所述第二薄膜层和所述硅基片延伸至第一薄膜层。通过在原有的TEM电学芯片的基础上设计第一窗口区域和第二窗口区域，利用稳定可靠、具有普适性的工艺技术，可在第一窗口区域实现后续的材料组装、器件制备等扩展工艺加工。

公开(公告)号：CN111627981A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010383738.6

申请日：2020-05-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志宏 ,  于博成 ,  孙梅 ,  陈清 ,  邓佳文

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明实施例公开了一种易扩展加工的原位TEM电学芯片及其制作方法，电学芯片包括硅基片，硅基片的正面由里向外依次覆盖第一薄膜层、第一绝缘层、第一金属层和第二绝缘层；硅基片的正面具有第一窗口区域，第一窗口区域由外向里穿透第二绝缘层、第一金属层和第一绝缘层延伸至第一薄膜层表面；硅基片的背面覆盖第二薄膜层，硅基片的背面具有第二窗口区域，第二窗口区域由外向里穿透所述第二薄膜层和所述硅基片延伸至第一薄膜层。通过在原有的TEM电学芯片的基础上设计第一窗口区域和第二窗口区域，利用稳定可靠、具有普适性的工艺技术，可在第一窗口区域实现后续的材料组装、器件制备等扩展工艺加工。