静电电容式传感器片及其制造方法

    公开(公告)号:CN103238130A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201280003659.1

    申请日:2012-02-03

    CPC classification number: G01R1/02 G01R3/00 G06F3/044 G06F2203/04103

    Abstract: 本发明具备:成膜工序,在具有透光性的基材(2)的至少一个表面形成透光性导电膜薄膜(11);辅助电极形成工序,在薄膜(11)的至少一部分设定起透明电极(3)作用的电极区域(3a),并以覆盖电极区域(3a)周缘的至少一部分的方式层压电阻低于薄膜(11)的辅助电极(4a);配线形成工序,将一端连接到辅助电极(4a)的配线(4b)层压在薄膜(11)上;抗蚀剂层压工序,以覆盖整个电极区域(3a)和至少一部分辅助电极4a的方式层压抗蚀剂(12);以及导电膜去除工序,去除在具有透光性的基材(2)上形成的薄膜(11)中位于不与抗蚀剂(12)、辅助电极(4a)、以及配线(4b)重叠的位置的薄膜(11)。

    静电电容式传感器片及其制造方法

    公开(公告)号:CN103238130B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201280003659.1

    申请日:2012-02-03

    CPC classification number: G01R1/02 G01R3/00 G06F3/044 G06F2203/04103

    Abstract: 本发明具备:成膜工序,在具有透光性的基材(2)的至少一个表面形成透光性导电膜薄膜(11);辅助电极形成工序,在薄膜(11)的至少一部分设定起透明电极(3)作用的电极区域(3a),并以覆盖电极区域(3a)周缘的至少一部分的方式层压电阻低于薄膜(11)的辅助电极(4a);配线形成工序,将一端连接到辅助电极(4a)的配线(4b)层压在薄膜(11)上;抗蚀剂层压工序,以覆盖整个电极区域(3a)和至少一部分辅助电极4a的方式层压抗蚀剂(12);以及导电膜去除工序,去除在具有透光性的基材(2)上形成的薄膜(11)中位于不与抗蚀剂(12)、辅助电极(4a)、以及配线(4b)重叠的位置的薄膜(11)。

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