静电容传感器片的制造方法及静电容传感器片

    公开(公告)号:CN103492992B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201280020265.7

    申请日:2012-04-20

    Abstract: 本发明提供能使图案层的至少检测电极与接线的连接部处的导通性提高的静电容传感器片的制造方法及静电容传感器片。本发明是在相向地粘着的第一、第二基材(1、1A)形成导电性的X图案层(10)和Y图案层(20),在手指接近这些X检测电极(11)、Y检测电极(21)的情况下检测静电容的变化的静电容传感器片,通过对至少与接线(12、22)连接的X检测电极(11)和Y检测电极(21)的表面端部进行表面蚀刻加工处理,从而除去从X检测电极(11)、Y检测电极(21)部分地突出的银纳米线的突出部处的粘合剂树脂,使除去了该粘合剂树脂的银纳米线的突出部与X检测电极(11)或Y检测电极(21)与接线(12、22)的连接部(13、23)接触。

    静电容传感器片的制造方法及静电容传感器片

    公开(公告)号:CN103492992A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201280020265.7

    申请日:2012-04-20

    Abstract: 本发明提供能使图案层的至少检测电极与接线的连接部处的导通性提高的静电容传感器片的制造方法及静电容传感器片。本发明是在相向地粘着的第一、第二基材(1、1A)形成导电性的X图案层(10)和Y图案层(20),在手指接近这些X检测电极(11)、Y检测电极(21)的情况下检测静电容的变化的静电容传感器片,通过对至少与接线(12、22)连接的X检测电极(11)和Y检测电极(21)的表面端部进行表面蚀刻加工处理,从而除去从X检测电极(11)、Y检测电极(21)部分地突出的银纳米线的突出部处的粘合剂树脂,使除去了该粘合剂树脂的银纳米线的突出部与X检测电极(11)或Y检测电极(21)与接线(12、22)的连接部(13、23)接触。

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