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公开(公告)号：CN102455594A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110310483.1
申请日：2011-10-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70558 , G03F7/70608
Abstract: 本申请涉及抗蚀剂图案计算方法。一种使用计算机计算形成在衬底上的抗蚀剂图案的方法包括：第一步，基于中间掩模图案和曝光条件来计算形成在抗蚀剂上的光学图像的光强度分布；第二步，使用第一扩散长度对计算的光强度分布进行卷积；第三步，从计算的光强度分布或者卷积的光强度分布计算代表性光强度；第四步，通过将校正函数与卷积的光强度分布相加来对卷积的光强度分布进行校正，所述校正函数包括由下式给出的第一函数：其中，J是代表性光强度的分布；和第五步，基于校正的光强度分布和预先设置的限幅水平来计算抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN112130421B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010590397.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了曝光装置、曝光方法和制造物品的方法。曝光装置包括：第一温度控制器，用于控制投影光学系统的光学元件上的温度分布；第二温度控制器，用于控制投影光学系统的光学元件上的温度分布，其中，在执行曝光操作的第一时段中，第一温度控制器和第二温度控制器中的至少一个操作以减小由于执行曝光操作而引起的投影光学系统的像差的变化，并且在第一时段之后并且不执行曝光操作的第二时段中，第一温度控制器和第二温度控制器中的至少一个操作以减小由于不执行曝光操作而引起的像差的变化。
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公开(公告)号：CN112130421A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010590397.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了曝光装置、曝光方法和制造物品的方法。曝光装置包括：第一温度控制器，用于控制投影光学系统的光学元件上的温度分布；第二温度控制器，用于控制投影光学系统的光学元件上的温度分布，其中，在执行曝光操作的第一时段中，第一温度控制器和第二温度控制器中的至少一个操作以减小由于执行曝光操作而引起的投影光学系统的像差的变化，并且在第一时段之后并且不执行曝光操作的第二时段中，第一温度控制器和第二温度控制器中的至少一个操作以减小由于不执行曝光操作而引起的像差的变化。
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公开(公告)号：CN1900828B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200610105988.3
申请日：2006-07-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70091 , G03F7/70566
Abstract: 提供一种分辨力良好的曝光方法和装置。曝光装置使用来自光源的光和光学系统将标线片图形曝光到被曝光体；其特征在于：具有测量部分和控制部分；该测量部分对通过上述光学系统的上述光的偏振信息进行测量；该控制部分根据上述测量部分的测量结果对上述光源和上述光学系统中的至少一个的曝光参数进行控制；上述偏振光信息包含与光轴垂直的相互直交的二方向的偏振光强度、偏振光强度比、偏振度、及相位差中至少一个。
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公开(公告)号：CN103838089B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310593722.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 三上晃司
CPC classification number: G03F7/70483 , G03F1/70 , G03F7/70616
Abstract: 本发明涉及确定掩模图案和曝光条件的方法以及计算机。一种确定方法包括如下步骤：设定用于定义掩模的多个图案元素的形状的第一参数；设定用于定义有效光源分布的第二参数；以及在改变第一参数和第二参数的值的同时重复掩模图案的图像的计算以及评价项目的值的计算的过程，由此确定有效光源分布以及掩模图案，其中通过使用表示邻近效应的指标的值将图案元素的参数设定作为一个参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102866589B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210231564.7
申请日：2012-07-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种确定方法和信息处理装置。本发明提供一种确定曝光装置的曝光条件的确定方法，该曝光装置包括照射掩模的照射光学系统和将掩模的图案投影到基板上的投影光学系统，该方法包括：设定用于在照射光学系统的瞳面上形成的光强度分布的照射参数和用于投影光学系统的像差的像差参数的步骤；以及确定照射参数的值和像差参数的值以使得掩模的图案的光学图像的图像性能满足对于要在投影光学系统的像面上形成的目标图案设定的评价准则的步骤。
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公开(公告)号：CN102455594B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110310483.1
申请日：2011-10-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70558 , G03F7/70608
Abstract: 本申请涉及抗蚀剂图案计算方法。一种使用计算机计算形成在衬底上的抗蚀剂图案的方法包括：第一步，基于中间掩模图案和曝光条件来计算形成在抗蚀剂上的光学图像的光强度分布；第二步，使用第一扩散长度对计算的光强度分布进行卷积；第三步，从计算的光强度分布或者卷积的光强度分布计算代表性光强度；第四步，通过将校正函数与卷积的光强度分布相加来对卷积的光强度分布进行校正，所述校正函数包括由下式给出的第一函数：其中，J是代表性光强度的分布；和第五步，基于校正的光强度分布和预先设置的限幅水平来计算抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN102866589A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210231564.7
申请日：2012-07-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种确定方法和信息处理装置。本发明提供一种确定曝光装置的曝光条件的确定方法，该曝光装置包括照射掩模的照射光学系统和将掩模的图案投影到基板上的投影光学系统，该方法包括：设定用于在照射光学系统的瞳面上形成的光强度分布的照射参数和用于投影光学系统的像差的像差参数的步骤；以及确定照射参数的值和像差参数的值以使得掩模的图案的光学图像的图像性能满足对于要在投影光学系统的像面上形成的目标图案设定的评价准则的步骤。
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公开(公告)号：CN111694225A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010179074.1
申请日：2020-03-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了曝光装置和物品制造方法。提供了一种曝光装置，该曝光装置经由投影光学系统将原件的图案投影到基板上并对基板进行曝光。该装置包括被布置在原件和基板之间的曝光光的光路上的像差校正构件，以及驱动像差校正构件的驱动器。像差校正构件包括第一光学元件和第二光学元件，第一光学元件包括相对于曝光光的光轴具有三重旋转对称非球面形状的第一表面，第二光学元件沿着光轴与第一光学元件间隔开并且包括面对第一表面并且具有互补地校正由第一光学元件生成的像差的非球面形状的第二表面。驱动器执行第一光学元件和第二光学元件中的至少一个的绕光轴的旋转和沿着光轴的驱动中的至少一个。
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