用于晶体生长的热分解氮化硼容器和使用该容器的半导体晶体生长方法

    公开(公告)号:CN102906314A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201180025287.8

    申请日:2011-05-20

    CPC classification number: C30B11/002

    Abstract: 披露了一种热分解氮化硼容器,即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时,所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆,并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器,在所述方法中从所述容器的底部向着所述容器的开口固化容纳于纵向容器中的原料熔液。所述热分解氮化硼容器包括直径恒定部分,其横截面面积基本恒定,和台阶部分,其被配置在离开所述开口的预定位置处,并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分改变。当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D,并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时,满足D≥54mm和x≥5mm。当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时,优选地,满足5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。

    砷化镓晶体基板
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111406130B

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN201880052390.3

    申请日:2018-02-23

    Abstract: 一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中,当硅的原子浓度为3.0×1016cm‑3以上且3.0×1019cm‑3以下时,所述砷化镓晶体基板具有0cm‑2以上且15000cm‑2以下的平均位错密度,并且当碳的原子浓度为1.0×1015cm‑3以上且5.0×1017cm‑3以下时,所述砷化镓晶体基板具有3000cm‑2以上且20000cm‑2以下的平均位错密度。

    砷化镓晶体基板
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111406130A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201880052390.3

    申请日:2018-02-23

    Abstract: 一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中,当硅的原子浓度为3.0×1016cm-3以上且3.0×1019cm-3以下时,所述砷化镓晶体基板具有0cm-2以上且15000cm-2以下的平均位错密度,并且当碳的原子浓度为1.0×1015cm-3以上且5.0×1017cm-3以下时,所述砷化镓晶体基板具有3000cm-2以上且20000cm-2以下的平均位错密度。

    用于晶体生长的热分解氮化硼容器和使用该容器的半导体晶体生长方法

    公开(公告)号:CN102906314B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201180025287.8

    申请日:2011-05-20

    CPC classification number: C30B11/002

    Abstract: 披露了一种热分解氮化硼容器,即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时,所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆,并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器,在所述方法中从所述容器的底部向着所述容器的开口固化容纳于纵向容器中的原料熔液。所述热分解氮化硼容器包括直径恒定部分,其横截面面积基本恒定,和台阶部分,其被配置在离开所述开口的预定位置处,并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分改变。当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D,并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时,满足D≥54mm和x≥5mm。当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时,优选地,满足5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。

    砷化镓单晶和砷化镓单晶基板

    公开(公告)号:CN111902573A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201880091881.9

    申请日:2018-08-07

    Abstract: 提供一种砷化镓单晶,其包含具有圆柱形状的直体部,其中在外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变,所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝向中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种砷化镓单晶基板,其中在外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变,所述外周部在位于从外周起朝向中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。

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