公开(公告)号：CN100405553C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN02800537.6

申请日：2002-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈本贵敏 ,  目崎义雄 ,  森本俊之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  H01L21/02024

Abstract: 化合物半导体晶片的制备方法，其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上，不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后，不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放，所以颗粒附着、正表面氧化和变质变得轻微，从而可以得到高质量的晶片。在紧接着水中存放的清洗程序中，可以省略有机溶剂清洗。这使得使用/浪费有毒有机溶剂的数量减少。

公开(公告)号：CN1090382C

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN98109520.8

申请日：1998-05-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  森本俊之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76281

Abstract: 一种由III-V族化合物半导体构成的晶片(21)包括由III-V族化合物构成的衬底(22)和在衬底(22)上形成的III-V族化合物层构成的外延层(26)，半导体衬底的外周边缘部分被这样倒角，使得其截面大体上是半径为R的弧形。离开衬底(22)的外周边缘距离为L的衬底(22)的一部分被去掉，所述距离L满足下面的表达式R≤L≤3R。

公开(公告)号：CN1201998A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN98109520.8

申请日：1998-05-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  森本俊之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76281

Abstract: 一种由Ⅲ－V族化合物半导体构成的晶片(21)包括由Ⅲ－V族化合物构成的衬底(22)和在衬底(22)上形成的Ⅲ－V族化合物层构成的外延层(26),半导体衬底的外周边缘部分被这样倒角,使得其截面大体上是半径为R的弧形。离开衬底(22)的外周边缘距离为L的衬底(22)的一部分被去掉,所述距离L满足下面的表达式R≤L≤3R。

公开(公告)号：CN1457507A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02800537.6

申请日：2002-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈本贵敏 ,  目崎义雄 ,  森本俊之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  H01L21/02024

Abstract: 化合物半导体晶片的制备方法，其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上，不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后，不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放，所以颗粒附着、正表面氧化和变质变得轻微，从而可以得到高质量的晶片。在紧接着水中存放的清洗程序中，可以省略有机溶剂清洗。这使得使用/浪费有毒有机溶剂的数量减少。