-
公开(公告)号：CN104350596A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380028421.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 初川聪
CPC classification number: H01L23/48 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L27/0203 , H01L2224/0603 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供一种允许多个半导体芯片让相同的电流流过的半导体器件及其制造方法。根据一个实施例的半导体器件(1)包括：多个第一半导体芯片(101至10N)和电路板(30)，被安装有多个第一半导体芯片，具有被电气地连接到多个第一半导体芯片的第一和第二布线导体(32A，32B)。多个第一半导体芯片与第一和第二布线导体共同被并联地连接以便构造第一并联电路(60)。根据多个第一半导体芯片的导通电阻多个第一半导体芯片被布置在电路板上，以便相同的电流流过多个第一半导体芯片。
-
公开(公告)号：CN1620730A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828201.9
申请日：2002-12-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/42316 , H01L29/66893 , H01L29/808
Abstract: 本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第3半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18A)。另外，设置与第1栅电极层(18A)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18B)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低ON电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。
-
公开(公告)号：CN103891136B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280052674.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
CPC classification number: H03K17/687 , H02M1/08 , H02M3/158 , H03F1/0211 , H03F1/0222 , H03F3/16 , H03F3/217 , H03F3/45 , H03F3/55 , H03F3/607 , H03F2200/102 , H03F2200/351 , Y10T307/747
Abstract: 一种开关电路33包括：连接电路级联连接控制端子，该连接电路级联连接控制端子用于相应地经由n‑1数目个线圈L1来控制n数目的晶体管M1至Mn的切换，n为等于或大于2的整数；以及线圈L3，线圈L3相应地连接在晶体管M1至Mn中的每一个的一端与线圈L2的另一端之间，该线圈L2的一端电连接至DC电源。利用输入至该连接电路的输入端子的PWM信号来顺次地切换晶体管M1至Mn。开关电路33进一步包括晶体管M0，晶体管M0以级联连接插入在线圈L2的所述一端或所述另一端处。
-
公开(公告)号：CN103548258B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280024953.0
申请日：2012-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H03F1/02 , H03F3/217 , H03K17/687
Abstract: 一实施方式的开关电路(1)包括：开关元件(10)，其含有第一端子(13)及第二端子(11)，且通过脉冲信号驱动而开关第一端子及第二端子的导通状态；电源部(30)，其对开关元件的第一端子供给电压；负载电路(40)，其与电源部并联连接；无源电路部(50)，其连接于电源部和负载电路的连接点与开关元件的第一端子之间，且在脉冲信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下，抑制从连接点流向开关元件的电流；及谐振电路部(60)，其连接于无源电路部与连接点之间，且在N倍的频率下谐振。
-
公开(公告)号：CN103548258A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024953.0
申请日：2012-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H03F1/02 , H03F3/217 , H03K17/687
Abstract: 一实施方式的开关电路(1)包括：开关元件(10)，其含有第一端子(13)及第二端子(11)，且通过脉冲信号驱动而开关第一端子及第二端子的导通状态；电源部(30)，其对开关元件的第一端子供给电压；负载电路(40)，其与电源部并联连接；无源电路部(50)，其连接于电源部和负载电路的连接点与开关元件的第一端子之间，且在脉冲信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下，抑制从连接点流向开关元件的电流；及谐振电路部(60)，其连接于无源电路部与连接点之间，且在N倍的频率下谐振。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102934358B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180021998.8
申请日：2011-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明的一实施方式的开关电路具备：N个开关元件；包含串联连接的N-1个第1电感元件的连接电路；第2电感元件；及N个第3电感元件。N个开关元件的控制端子分别连接于连接电路的两端及连接接点。第2电感元件的一端连接于电源。N个第3电感元件分别电连接N个开关元件的一端与第2电感元件的另一端。
-
公开(公告)号：CN102934358A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180021998.8
申请日：2011-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明的一实施方式的开关电路具备：N个开关元件；包含串联连接的N-1个第1电感元件的连接电路；第2电感元件；及N个第3电感元件。N个开关元件的控制端子分别连接于连接电路的两端及连接接点。第2电感元件的一端连接于电源。N个第3电感元件分别电连接N个开关元件的一端与第2电感元件的另一端。
-
公开(公告)号：CN102906563A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025735.4
申请日：2011-05-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 初川聪
CPC classification number: H01L22/10 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L23/24 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/4824 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1304 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中，将多个SiC半导体芯片安装到安装基板上(S1)，对安装基板上的SiC半导体芯片施加电压(S2)。在施加有电压的状态下，使用红外线热像仪、红外线显微镜等热影像装置获取安装基板表面的温度分布图像(S3)，通过进行图像解析从而判断不合格芯片的有无(S5)。在安装基板上包含不合格芯片时(S5：是)，通过切断该不合格芯片的配线从而排除不合格芯片(S7)。由此，提供一种使用小容量芯片的半导体装置的制造方法。
-
公开(公告)号：CN100349270C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN03815406.4
申请日：2003-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/337 , H01L29/80 , H01L29/808
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/0634 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66446 , H01L29/66909 , H01L29/8083
Abstract: 本发明的纵向JFET1a配备n+型漏极半导体部(2)、n型漂移半导体部(3)、p+型栅极半导体部(4)、n型沟道半导体部(5)、n+型源极半导体部(7)、和p+型栅极半导体部(8)。n型漂移半导体部(3)设置在n+型漏极半导体部(2)的主面上，具有沿与该主面交叉的方向延伸的第1～第4区域(3a-3d)。p+型栅极半导体部(4)设置在n型漂移半导体部(3)的第1～第3区域(3a-3c)上。n型沟道半导体部(5)沿p+型栅极半导体部(4)设置，电连接于n型漂移半导体部(3)的第4区域(3d)上。
-
公开(公告)号：CN107078649B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201580056287.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明提供一种变压器，该变压器的前级电路包括：开关串联单元，电容器以及接地电路径。并联至电源的开关串联单元包括：被配置为交替导通的奇数/偶数开关。假设开关的互连点以及开关串联单元的两端的点为总计m个节点，则两端的点中的一个是接地节点，电容器设置在合并奇数节点并将奇数节点引导至第一输出端口的第一电路径和合并偶数节点并将偶数节点引导至第二输出端口的第二电路径中的至少一个电路径上，且存在电容器以便对应于除接地节点之外的至少(m‑1)个节点。接地电路径将接地节点直接连接至第一输出端口而无需插入的电容器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.019 seconds)
