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公开(公告)号：CN101925695A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200880125738.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , C30B29/406 , C30B33/12
Abstract: 本发明提供了Ⅲ族氮化物单晶锭、利用所述锭制造的Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法，其中降低了在长度延长生长时的裂纹发生率。所述制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法包括：腐蚀底部衬底的侧面的步骤，以及在底部衬底上外延生长侧面具有晶面的六方晶系Ⅲ族氮化物单晶的步骤。为了降低在长度延长生长时锭的裂纹发生率，有必要抑制在单晶外周上析出多晶或具有不同面取向的晶体。如上所述，通过在底部衬底的侧面上预先腐蚀去除加工变质层，在底部衬底上形成的Ⅲ族氮化物单晶锭的侧面上形成晶面，抑制了多晶或具有不同面取向的晶体的析出，从而降低了裂纹发生率。
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公开(公告)号：CN1906738A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001650.7
申请日：2005-04-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序(S11)、纯水洗净工序(S12)和旋转干燥工序(S13)构成。首先，通过将表面被镜面研磨的GaAs基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序(S11)。在酸洗涤工序中，洗涤时间不足30秒。然后，进行用纯水将附着在被洗涤的GaAs基板上的洗涤液冲洗干净的纯水洗净工序(S12)。接着，进行使附着有纯水的GaAs基板干燥的旋转干燥工序(S13)。由此，可以提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板。
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公开(公告)号：CN101331591B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680047480.0
申请日：2006-10-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , C30B29/38 , H01L29/201 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02658 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0254
Abstract: 本发明的AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1-x-yN晶体基板、包括该AlxGayIn1-x-yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1716545A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510082192.6
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN101442030B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810177769.5
申请日：2008-11-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该III族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该III族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10-4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该III族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少-30％且不大于30％。该III族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少-16％且不大于16％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101440520A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810177773.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02576 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氯化硅(SiCl4)气体作为掺杂气体生长用硅掺杂的第一III族氮化物半导体晶体。第一III族氮化物半导体晶体的生长速率为至少200μm/h且不大于2000μm/h。
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公开(公告)号：CN101312164A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810130622.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN1885499A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610094016.9
申请日：2006-06-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L33/00 , B08B3/08
CPC classification number: H01L21/02052 , Y10S438/906
Abstract: 本发明提供衬底的表面处理方法和III－V族化合物半导体的制造方法，其中由III－V族半导体化合物制成的衬底是化学计量的，并减小了外延生长后表面的微观粗糙度。该方法包括制备由III－V族化合物半导体制成的衬底的步骤(S10)，及以pH调至2～6.3(含端值)的酸性且加入了氧化剂的清洗溶液对衬底进行清洗的清洗步骤(S20)。
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公开(公告)号：CN101922045B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010202934.5
申请日：2010-06-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/872 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02008 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。
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公开(公告)号：CN101312165B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810130625.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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