公开(公告)号：CN1018311B

公开(公告)日：1992-09-16

申请号：CN89107753.7

申请日：1989-08-28

Applicant: 住友电器工业株式会社

Inventor： 桧垣贤次郎 ,  原田敬三 ,  藤森直治 ,  糸崎秀夫 ,  矢津修示

IPC: H01L39/24 ,  H01B12/06

CPC classification number: H01L39/2422 ,  H01L39/2458 ,  Y10S505/73 ,  Y10S505/731 ,  Y10S505/732 ,  Y10S505/742 ,  Y10S505/782

Abstract: 利用物理沉积法在基板上将至少含有铋和铜的复合氧化物制成薄膜的成膜方法，其特征是成膜时的基板温度在670～750℃范围内。

公开(公告)号：CN1024859C

公开(公告)日：1994-06-01

申请号：CN92102035.X

申请日：1988-12-19

Applicant: 住友电器工业株式会社

Inventor： 田中三郎 ,  系崎秀夫 ,  桧垣贤次郎 ,  失津修示 ,  尚代哲司

IPC: H01B12/06 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 一种用物理蒸镀法在MgO、SrTiO3或ZrO2单晶基片上形成以Ln1Ba2Cu3O7-X（Ln是镧系元素）、(La1-X-aX)2CuO4（α是Ba或Sr）所表示的复合氧化物超导薄膜的改进方法。本发明的特征在于：在使上述复合氧化物超导体薄膜表面的光洁度Rmax（基准长度＝1000μm）为0.2μm以下的平滑面的条件下，进行物理蒸镀。

公开(公告)号：CN1067524A

公开(公告)日：1992-12-30

申请号：CN92102035.X

申请日：1988-12-19

Applicant: 住友电器工业株式会社

Inventor： 田中三郎 ,  系崎秀夫 ,  桧垣贤次郎 ,  失津修示 ,  尚代哲司

IPC: H01B12/06 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 一种用物理蒸镀法在MgO、SrTiO3或ZrO2单晶基片上形成以Ln1Ba2Cn3O7-x(Ln是镧系元素)、(La1-Xax)2CuO4(a是Ba或Sr)所表示的复合氧化物超导体薄膜的改进方法。本发明的特征在于：在使上述复合氧化物超导体薄膜表面的光洁度Rmax(基准长度＝1000μm)为0.2μm以下的平滑面的条件下，进行物理蒸镀。

公开(公告)号：CN1041237A

公开(公告)日：1990-04-11

申请号：CN89107753.7

申请日：1989-08-28

Applicant: 住友电器工业株式会社

Inventor： 桧垣贤次郎 ,  原田敬三 ,  藤森直治 ,  糸崎秀夫 ,  矢津修示

IPC: H01B12/06 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2422 ,  H01L39/2458 ,  Y10S505/73 ,  Y10S505/731 ,  Y10S505/732 ,  Y10S505/742 ,  Y10S505/782

Abstract: 利用物理沉积法在基板上将至少含有铋和铜的复合氧化物制成薄膜的成膜方法，其特征是成膜时的基板温度在670～750℃范围内。