公开(公告)号：CN1024859C

公开(公告)日：1994-06-01

申请号：CN92102035.X

申请日：1988-12-19

Applicant: 住友电器工业株式会社

Inventor： 田中三郎 ,  系崎秀夫 ,  桧垣贤次郎 ,  失津修示 ,  尚代哲司

IPC: H01B12/06 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 一种用物理蒸镀法在MgO、SrTiO3或ZrO2单晶基片上形成以Ln1Ba2Cu3O7-X（Ln是镧系元素）、(La1-X-aX)2CuO4（α是Ba或Sr）所表示的复合氧化物超导薄膜的改进方法。本发明的特征在于：在使上述复合氧化物超导体薄膜表面的光洁度Rmax（基准长度＝1000μm）为0.2μm以下的平滑面的条件下，进行物理蒸镀。

公开(公告)号：CN1067524A

公开(公告)日：1992-12-30

申请号：CN92102035.X

申请日：1988-12-19

Applicant: 住友电器工业株式会社

Inventor： 田中三郎 ,  系崎秀夫 ,  桧垣贤次郎 ,  失津修示 ,  尚代哲司

IPC: H01B12/06 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 一种用物理蒸镀法在MgO、SrTiO3或ZrO2单晶基片上形成以Ln1Ba2Cn3O7-x(Ln是镧系元素)、(La1-Xax)2CuO4(a是Ba或Sr)所表示的复合氧化物超导体薄膜的改进方法。本发明的特征在于：在使上述复合氧化物超导体薄膜表面的光洁度Rmax(基准长度＝1000μm)为0.2μm以下的平滑面的条件下，进行物理蒸镀。