公开(公告)号：CN1018311B

公开(公告)日：1992-09-16

申请号：CN89107753.7

申请日：1989-08-28

Applicant: 住友电器工业株式会社

Inventor： 桧垣贤次郎 ,  原田敬三 ,  藤森直治 ,  糸崎秀夫 ,  矢津修示

IPC: H01L39/24 ,  H01B12/06

CPC classification number: H01L39/2422 ,  H01L39/2458 ,  Y10S505/73 ,  Y10S505/731 ,  Y10S505/732 ,  Y10S505/742 ,  Y10S505/782

Abstract: 利用物理沉积法在基板上将至少含有铋和铜的复合氧化物制成薄膜的成膜方法，其特征是成膜时的基板温度在670～750℃范围内。

公开(公告)号：CN1041237A

公开(公告)日：1990-04-11

申请号：CN89107753.7

申请日：1989-08-28

Applicant: 住友电器工业株式会社

Inventor： 桧垣贤次郎 ,  原田敬三 ,  藤森直治 ,  糸崎秀夫 ,  矢津修示

IPC: H01B12/06 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2422 ,  H01L39/2458 ,  Y10S505/73 ,  Y10S505/731 ,  Y10S505/732 ,  Y10S505/742 ,  Y10S505/782

Abstract: 利用物理沉积法在基板上将至少含有铋和铜的复合氧化物制成薄膜的成膜方法，其特征是成膜时的基板温度在670～750℃范围内。