公开(公告)号：CN106660318A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580047436.9

申请日：2015-09-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山下恭弘 ,  中岛秀明 ,  伊藤豊

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/32 ,  B32B9/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50 ,  C23C16/509 ,  C23C16/545

Abstract: 本发明的课题是提供将不同种类的层设置于薄膜层上时耐冲击性优异的阻气性层叠膜。本发明提供一种层叠膜，其具备挠性基材和形成于上述基材的至少一侧的表面上的薄膜层，上述薄膜层含有Si、O和C，对上述薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，使用由宽扫描能谱得到的相当于Si的2p、O的1s、N的1s和C的1s的各自的结合能的峰而算出的C相对于Si的原子数比在下述式(1)的范围，对上述薄膜层表面进行红外光谱测定时，存在于950～1050cm‑1的峰强度(I1)与存在于1240～1290cm‑1的峰强度(I2)的强度比在下述式(2)的范围。0.01＜C/Si≤0.20(1) 0.01≤I2/I1＜0.05(2)。

公开(公告)号：CN106660318B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201580047436.9

申请日：2015-09-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山下恭弘 ,  中岛秀明 ,  伊藤豊

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明的课题是提供将不同种类的层设置于薄膜层上时耐冲击性优异的阻气性层叠膜。本发明提供一种层叠膜，其具备挠性基材和形成于上述基材的至少一侧的表面上的薄膜层，上述薄膜层含有Si、O和C，对上述薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，使用由宽扫描能谱得到的相当于Si的2p、O的1s、N的1s和C的1s的各自的结合能的峰而算出的C相对于Si的原子数比在下述式(1)的范围，对上述薄膜层表面进行红外光谱测定时，存在于950～1050cm‑1的峰强度(I1)与存在于1240～1290cm‑1的峰强度(I2)的强度比在下述式(2)的范围。0.01＜C/Si≤0.20(1)0.01≤I2/I1＜0.05(2)。