公开(公告)号：CN104871312B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201280077788.5

申请日：2012-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 亀山悟 ,  木村圭佑

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，其为IGBT区域和二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备集电层、IGBT漂移层、体层、栅电极、发射层。二极管区域具备阴极层、二极管漂移层、阳极层、沟槽电极、阳极接触层。二极管区域通过栅电极或沟槽电极而被划分为单位二极管区域。在与IGBT区域邻接的单位二极管区域中，在俯视观察半导体基板的表面时，阳极层与阳极接触层混合地被配置，并且至少在隔着栅电极而与发射层对置的位置处配置有阳极接触层。

公开(公告)号：CN105849912B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201480071047.5

申请日：2014-11-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  亀山悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739

Abstract: 本申请提供一种半导体装置及其制造方法。IGBT区具备集电层、第一漂移层、第一体层、发射层和从半导体基板的表面侧起贯穿第一体层而到达第一漂移层的沟槽栅。二极管区具备阴极层、第二漂移层和第二体层。在位于沟槽栅的下端的深度与第一漂移层以及第二漂移层的表面之间的位置处的第一漂移层以及第二漂移层中，形成有包含结晶缺陷密度的峰值的寿命控制区。在半导体基板的表面侧的沟槽栅的上方还设置有氮化硅膜层。

公开(公告)号：CN104871312A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201280077788.5

申请日：2012-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 亀山悟 ,  木村圭佑

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，其为IGBT区域和二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备集电层、IGBT漂移层、体层、栅电极、发射层。二极管区域具备阴极层、二极管漂移层、阳极层、沟槽电极、阳极接触层。二极管区域通过栅电极或沟槽电极而被划分为单位二极管区域。在与IGBT区域邻接的单位二极管区域中，在俯视观察半导体基板的表面时，阳极层与阳极接触层混合地被配置，并且至少在隔着栅电极而与发射层对置的位置处配置有阳极接触层。

公开(公告)号：CN104838503A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201280077544.7

申请日：2012-12-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 亀山悟

IPC: H01L29/861 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

Abstract: 本说明书公开的第一半导体装置具备了具有阳极区与阴极区的半导体基板。阳极区包括：第一导电型的第一区域，其在离半导体基板的表面第一深度的位置处具有第一导电型的杂质浓度的最大值；第一导电型的第二区域，其在与第一深度相比靠半导体基板的表面侧的第二深度的位置处具有第一导电型的杂质浓度的最大值；第三区域，其被设置于第一区域与第二区域之间，并且所述第三区域的第一导电型的杂质浓度为半导体基板的表面的1/10以下。

公开(公告)号：CN106952811A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611122368.0

申请日：2016-12-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 亀山悟 ,  味冈正树 ,  大木周平

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括半导体区域形成工序、清洗工序、表面粗糙度均匀化工序和电极形成工序。作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得具有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上。作为清洗工序，在半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在半导体基板的所述一个主表面上进行清洗。作为表面粗糙度均匀化工序，在清洗工序之后，使半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化。作为电极形成工序，在表面粗糙度均匀化工序之后，在半导体基板的所述一个主表面上形成电极。

公开(公告)号：CN105849912A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071047.5

申请日：2014-11-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  亀山悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613

Abstract: 本申请提供一种半导体装置及其制造方法。IGBT区具备集电层、第一漂移层、第一体层、发射层和从半导体基板的表面侧起贯穿第一体层而到达第一漂移层的沟槽栅。二极管区具备阴极层、第二漂移层和第二体层。在位于沟槽栅的下端的深度与第一漂移层以及第二漂移层的表面之间的位置处的第一漂移层以及第二漂移层中，形成有包含结晶缺陷密度的峰值的寿命控制区。在半导体基板的表面侧的沟槽栅的上方还设置有氮化硅膜层。

公开(公告)号：CN103035676A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210370920.3

申请日：2012-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山崎信也 ,  亀山悟 ,  坂根仁 ,  伊藤成志

IPC: H01L29/32 ,  H01L29/739 ,  H01L21/263 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括半导体衬底，半导体衬底包括：n型漂移层；在漂移层的上表面侧上的p型主体层；以及在漂移层的下表面侧上的高杂质n层。高杂质n层包括作为掺杂剂的氢离子施主，并且高杂质n层具有比漂移层更高浓度的n型杂质。在漂移层的一部分和高杂质n层中形成包括作为寿命扼杀剂的晶体缺陷的寿命控制区域。施主峰值位置与缺陷峰值位置邻近或相同，施主峰值位置为在半导体衬底的深度方向上高杂质n层中氢离子施主浓度最高的位置，缺陷峰值位置为在半导体衬底的深度方向上寿命控制区域中晶体缺陷浓度最高的位置。在寿命控制区域的缺陷峰值位置中的晶体缺陷浓度为1×1012原子/立方厘米以上。