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公开(公告)号：CN119070027A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411242019.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹涡旋生成器及控制方法，包括顶层“Z”字型金属层，聚四氟乙烯(F4B)介质层、底层金属层；随着顶部“Z”字形的弧长变化和结构旋转，可以产生具有不同相位的单元结构，将单元结构通过不同的方式排布，可以实现不同拓扑荷数和偏折角度的太赫兹涡旋波束以及多通道涡旋波束。本发明太赫兹涡旋生成器具有结构简单、多种功能、可控性强等优点，在太赫兹涡旋波束生成与调控领域具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116011179A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211552767.6
申请日：2022-12-02
Applicant: 中国计量大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/18 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供一种控制图的设计方法及数据分析系统，包括获取样本数据，生成样本数据集，并基于EWMA控制图生成EWMA统计量；计算样本数据的均值；根据样本数据的均值，将样本数据分为第一部分及第二部分，分别对第一部分与第二部分进行对称处理构造对应的第一正态分布以及第二正态分布，并分别计算第一正态分布方差以及第二正态分布方差；计算样本数据小于样本数据集的数学期望的分布概率；根据第一正态分布方差，第二正态分布方差及分布概率确定控制限；根据控制限绘制控制图的控制界限，并确定EWMA统计量在控制图中的位置，生成控制图。本申请所提出的控制图不要求数据满足正态分布的要求，可广泛应用于智能制造生产过程的质量控制。
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公开(公告)号：CN110187522B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910440796.5
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关。它包括上金属方环电极、Bi2O2Se纳米薄膜、硅基底、下金属方环电极、电压源；上金属方环电极位于顶层，上金属方环电极的下层为Bi2O2Se纳米薄膜层，Bi2O2Se纳米薄膜层下层为硅基底，硅基底下层为下金属方环电极，上金属方环电极和下金属方环电极大小形状相同且通过电压源相连，太赫兹波从顶层上方垂直射入顶层几何中心处，808nm波长连续激光从顶层上方45度射入顶层几何中心处，通过调节连续激光功率和外加电压大小，实现对太赫兹波的开关控制。本发明的硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关具有材料新颖，结构简单，便于制作，性能优越等优点，可用于太赫兹波开关控制。
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公开(公告)号：CN113972498A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111251283.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种双方向双频点太赫兹调控器，其包括太赫兹波入射端、反射太赫兹波输出端、透射太赫兹波输出端和阵列太赫兹超表面结构，其中阵列太赫兹超表面结构由24×24个单元结构排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上；单元结构从下往上依次包括单开口金属外环和中间缺口内环组成的顶层超表面结构、中间聚酰亚胺介质层、二氧化钒薄膜层，底层超表面结构组成。通过调节二氧化钒薄膜的相变状态，从而改变太赫兹波透射和反射传输，实现对太赫兹波双方向传输调控。本发明的双方向双频点太赫兹调控器具有结构简单紧凑，尺寸小，控制原理新颖，制作方便，双频独立调节，容易加工等优点，满足太赫兹波通信复用系统应用要求。
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公开(公告)号：CN113934022A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111207568.7
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国计量大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹双向偏振转换器。其特征在于它包括太赫兹波入射端、太赫兹波输出端、超表面偏振转换器；其中超表面偏振转换器由N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上，N为自然数；结构单元从上往下依次包括顶层的石墨烯贴片与金属缺口方形环、第一石英介质层、石墨烯层、第二石英介质层和底层的金属缺口方形环与底层的石墨烯贴片。顶层金属缺口方形环的缺口与底层金属缺口方形环的缺口之间存在90°旋转角。本发明公开的太赫兹双向偏振转换器具有结构简单，易于加工等特点，能够对正反两个方向入射的不同偏振态的太赫兹波进行偏振转换，满足太赫兹波通信复用系统应用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113835189A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111110755.3
申请日：2021-09-23
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种焦距可调节太赫兹聚焦器件及其方法。该器件包括太赫兹波输入端、N×N个多层状单元结构，N为自然数；N×N个多层状单元结构排列在太赫兹波输入方向垂直的平面上；多层状单元结构包括超材料层、聚酰亚胺介质层、金属底板；其中，超材料层为金属铝和硫族化合物组合而成。本发明的焦距可调节太赫兹聚焦器件具有结构简单，易于制备，焦距方便调节等特点，能满足在太赫兹通信、传感、检测等应用要求。
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公开(公告)号：CN112886259A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110036825.9
申请日：2021-01-12
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种可调反射式线偏振控制器及方法。它包括太赫兹波输入端、N×N个单元结构，N为自然数；N×N个单元结构周期排列与太赫兹波输入方向垂直的平面上，单元结构包括顶层金属结构、聚酰亚胺介质层、衬底金属板；其中，顶层金属结构位于聚酰亚胺介质层上方，所述的顶层金属结构由双开口圆环、双开口方环、矩形金属件和矩形单元组合而成，双开口圆环和双开口方环的开口方向位于副对角线，通过位于主对角线上的矩形金属件连接双开口圆环和双开口方环，矩形单元嵌入双开口方环的开口处，位于金属结构层的中心，聚酰亚胺介质层的下方镀一层金属板。本发明的可调反射式线偏振控制器具有结构简单紧凑，制作方便，方便调节，满足在太赫兹波系统应用要求。
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公开(公告)号：CN109390700B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811410438.1
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种混合结构超材料太赫兹宽带吸收器。它包括太赫兹波输入端、N×N个结构单元，N为自然数，N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上。结构单元包括顶层金属微结构层、介质层以及底层金属层；顶层金属微结构层是由五个十字架形状和四个星型形状组成，顶层金属微结构层的形状依次为第一十字架、第二星型、第三十字架、第四星型、第五十字架、第六星型以及第七十字架。本发明的混合结构太赫兹宽带吸收器具有结构简单、制作方便、吸收带宽宽以及吸收率高等优点，满足在太赫兹波通信技术、生物医学、太赫兹辐射领域应用要求。
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公开(公告)号：CN112014350A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010813172.6
申请日：2020-08-13
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种反射式太赫兹可调折射率传感器。它包括N×N个在平面上周期排列的结构单元；每个结构单元包括金属层和介质层，其中金属层处于顶层，金属层下层为介质层；金属层中开设有第一矩形空气槽、第二矩形空气槽和工字型空气槽。工字型空气槽内，第三水平空气槽中在介质层表面贴有第一石墨烯纳米嵌入条，第四水平空气槽中在介质层表面贴有第二石墨烯纳米嵌入条。传感器通过加电，改变嵌入空气槽中石墨烯纳米条的化学势，实现加电前三谐振反射谷到加电后两个谐振反射谷的转换。本发明的反射式可调折射率传感器尺寸小、检测范围较宽、灵敏度高、操作灵活，在化学物质的检测中具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN108336503B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810064216.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电调太赫兹波吸收器。它包括顶层介质光栅、上层介电薄膜、石墨烯、下层介电薄膜和金属基底；介质光栅的下层为上层介电薄膜，上层介电薄膜的下层为石墨烯，石墨烯下层为下层介电薄膜，下层介电薄膜下层为金属基底，石墨烯层和金属基底通过电压源相连，通过电压改变石墨烯层的费米能级，从而在吸收峰处实现高吸收率；太赫兹波以入射角为θ射入，少部分太赫兹波在介质光栅层发生反射，其余太赫兹波发生折射，进入吸收器内部，通过调节石墨烯层的费米能级，实现太赫兹波吸收峰的调谐。本发明具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制原理简单等优点。
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