公开(公告)号：CN105977381A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610527334.3

申请日：2016-06-28

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 唐莹 ,  丁思晗 ,  韦一 ,  彭应全 ,  张璇 ,  钱宏昌 ,  杨玉环

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括顶部栅电极(1)、顶部栅绝缘层(2)、场效应半导体层(3)、空穴传输层(4)、发光层(5)、漏电极修饰层(6)、源电极(701)、漏电极(702)、柔性衬底(8)；其中顶部栅电极的材料为银纳米线，顶部栅绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯，场效应半导体层的材料为并五苯，空穴传输层的材料为NPB，发光层的材料为Alq3，漏电极修饰层的材料为LiF，源电极的材料为金属金，漏电极的材料为金属铝，柔性衬底的材料为苯二甲酸乙二酯。

公开(公告)号：CN105977382A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610527363.X

申请日：2016-06-28

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 唐莹 ,  张璇 ,  韦一 ,  彭应全 ,  丁思晗 ,  钱宏昌 ,  杨玉环

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中：柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。

公开(公告)号：CN205985073U

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201620706186.7

申请日：2016-06-28

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 唐莹 ,  丁思晗 ,  韦一 ,  彭应全 ,  张璇 ,  钱宏昌 ,  杨玉环

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本实用新型提供的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括顶部栅电极(1)、顶部栅绝缘层(2)、场效应半导体层(3)、空穴传输层(701)、漏电极(702)、柔性衬底(8)；其中顶部栅电极的材料为银纳米线，顶部栅绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯，场效应半导体层的材料为并五苯，空穴传输层的材料为NPB，发光层的材料为Alq3，漏电极修饰层的材料为LiF，源电极的材料为金属金，漏电极的材料为金属铝，柔性衬底的材料为苯二甲酸乙二酯。(4)、发光层(5)、漏电极修饰层(6)、源电极

公开(公告)号：CN205985074U

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201620706248.4

申请日：2016-06-28

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 唐莹 ,  张璇 ,  韦一 ,  彭应全 ,  丁思晗 ,  钱宏昌 ,  杨玉环

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本实用新型提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中：柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。