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公开(公告)号：CN1966401B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200510119536.6
申请日：2005-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。
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公开(公告)号：CN101376492A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710009433.3
申请日：2007-08-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种过渡金属硫属化合物的制备方法，涉及过渡金属硫属化合物的合成。本制备方法采用硫属元素单质、过渡金属的含氧化合物为原料，在真空、高温条件下反应，得到过渡金属硫属化合物，本方法的特征在于：在合成过渡金属硫属化合物的反应体系中加入稍过量于化学反应量的硼。本方法具有操作过程安全，原料成本相对较低，反应条件简单、易于控制，不涉及有毒气体及有机溶剂的使用等优点。
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公开(公告)号：CN101294305A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710008886.4
申请日：2007-04-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一类硫硒锌化合物光敏电阻材料，涉及新型光敏电阻材料。该光敏电阻材料化合物的化学式为ZnSe1－xSx(0＜x＜1)，特点是S元素部分替代Se元素并且S元素占据被替代Se元素的晶格位置，该类化合物为立方晶系，空间群为，单胞参数为a＝b＝c＝5.1～5.9，α＝β＝γ＝90°，Z＝4。该类光敏电阻材料的制备可采用真空中高温固相合成法、布里奇曼法和真空热蒸镀法，分别得到它们的化合物及其单晶和薄膜材料。该类材料的带隙可通过x值来调控，响应波长较宽、灵敏度较高、结构稳定、组分均匀、制备工艺简单，性能可与现有的光敏电阻材料相媲美的新型无镉无铅光敏电阻材料。
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公开(公告)号：CN1966401A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510119536.6
申请日：2005-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。
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公开(公告)号：CN1858307A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510069840.4
申请日：2005-05-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/48
Abstract: 掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料，涉及新型红外材料领域。掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物生长是采用高真空高温固相合成法或熔融法；其单晶生长采用布里奇曼方法；其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本新型红外材料是一种带隙宽度在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，而性能却仍可达到MCT材料的水平的新型碲镉汞改性红外材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101293668A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710008889.8
申请日：2007-04-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01G9/08 , C01B19/00 , H01L31/0296 , H01L31/0272
Abstract: 一类硫碲锌化合物光敏电阻材料，涉及新型光敏电阻材料。该光敏电阻材料化合物的化学式为ZnTe1－xSx(0＜x＜1)，特点是S元素部分替代Te元素并且S元素占据被替代Te元素的晶格位置，该类化合物为立方晶系，空间群为，单胞参数为a=b=c=5.1～6.4，α＝β＝γ＝90°，Z＝4。该类光敏电阻材料的制备可采用真空中高温固相合成法、布里奇曼法和真空热蒸镀法，分别得到它们的化合物及其单晶和薄膜材料。该类材料的带隙可通过x值来调控，响应波长较宽、灵敏度较高、结构稳定、组分均匀、制备工艺简单，性能可与现有的光敏电阻材料相媲美的新型无镉无铅光敏电阻材料。
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公开(公告)号：CN101114679A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610107970.7
申请日：2006-07-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/208 , C03C17/22
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法，涉及一种制备铜铟硒纳米薄膜材料的工艺流程。本方法选择N，N－二甲基甲酰胺(DMF)为分散溶剂，优选参数为：旋浮液浓度0.6mmol/L；低/高阶段旋涂转速与时间分别是500rpm/9s，5000rpm/30s；退火温度与时间为100度2小时。旋涂法不需要高温高真空，对仪器要求低，薄膜的生产成本低，有利于实现大规模的应用化生产。
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公开(公告)号：CN101024511A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610059026.9
申请日：2006-02-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种制备碲镉汞红外材料的新方法，涉及固相合成法制备碲镉汞红外材料。采用氰化汞、高纯碲粉和镉粉为原料，真空加热升温至500－550℃，恒温以使反应充分，再以2～4℃/h的速率降温至250℃，恒温，再以2～5℃/h的速率降温至100℃。本方法采用氰化汞作为起始物，突破了以往工艺采用汞单质或有机汞作为起始物的局限性，这将有利于运输和储存，减少对设备的污染。
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公开(公告)号：CN1858002A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510067199.0
申请日：2005-05-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料，涉及新型红外材料。该化合物由HgTe与InSb采用真空中高温固相合成法得到。其晶体结构为闪锌矿结构。其单晶材料生长生长温度为550～650℃，控制坩埚下降速度为10～50mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法生长。汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，性能可与MCT材料相媲美的新型红外材料。
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公开(公告)号：CN101475805A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810070402.3
申请日：2008-01-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种新型无机化合物光致变色材料及其制备方法与应用，涉及光致变色材料及其制备方法与应用。该光致变色材料化合物的化学式为Hg2AsCl2，单斜晶系，空间群为C2/m(No.12)，单胞参数为a＝13.6～14.3，b＝7.9～8.5，c＝8.5～9.3，α＝γ＝ 90°，β＝94～101，Z＝8。其变色后的结构为单斜晶系，空间群为C2/m(No.12)，单胞参数为a＝7.4～8.1，b＝7.9～ 8.5，c＝8.5～9.3，β＝113～120，Z＝4。采用真空中高温固相合成法、布里奇曼法和真空热蒸镀法，得到其化合物及其单晶和薄膜材料。该化合物可用于光信息存储、防伪、激光防护、相转变内存存储单元、光开关器件、光信息转换器、自显影全息记录照相以及辐射计量计等。
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