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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1857993A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510067200.X
申请日：2005-05-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料，涉及一类新型红外材料。其化合物以HgTe、CdTe和InSb为原料，采用真空中高温固相合成法。其单晶生长温度为700～850℃，控制坩埚下降速度为5～30mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本类材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构相对稳定，组分均匀，且制备工艺相对简单，低汞含量而响应波长在中长波段的且性能可与MCT红外半导体材料相媲美的新型红外材料。
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公开(公告)号：CN1966401B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200510119536.6
申请日：2005-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。
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公开(公告)号：CN1966401A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510119536.6
申请日：2005-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。
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公开(公告)号：CN1858307A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510069840.4
申请日：2005-05-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/48
Abstract: 掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料，涉及新型红外材料领域。掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物生长是采用高真空高温固相合成法或熔融法；其单晶生长采用布里奇曼方法；其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本新型红外材料是一种带隙宽度在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，而性能却仍可达到MCT材料的水平的新型碲镉汞改性红外材料。
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公开(公告)号：CN1858002A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510067199.0
申请日：2005-05-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料，涉及新型红外材料。该化合物由HgTe与InSb采用真空中高温固相合成法得到。其晶体结构为闪锌矿结构。其单晶材料生长生长温度为550～650℃，控制坩埚下降速度为10～50mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法生长。汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，性能可与MCT材料相媲美的新型红外材料。
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