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公开(公告)号：CN101303424A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810038824.2
申请日：2008-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种三腔多通道光谱阶跃式集成滤光片，包括：本发明的光谱阶跃式集成滤光片通过改变间隔层中微区光学厚度的办法，采用三腔结构，结合真空镀膜技术和半导体离子束刻蚀工艺，实现多通道带通滤光片于同一基片的集成。该集成滤光片能广泛用于航空航天遥感仪器的多(高)光谱密集获取。本发明的多通道微型阶跃集成滤光片具有的优点是：通道光谱矩形度好，分光效率高；采用组合刻蚀的方法，成品率较传统的逐一集成的滤光片有很大提高；可以在微小区域形成多个光谱通道，能够实现空间位置和光谱位置的准确定位，易于实现高光谱。
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公开(公告)号：CN101403806B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810202261.6
申请日：2008-11-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见/短、中波红外宽光谱分色片，该分色片以锗为基底，反射堆以ZnS和YF3为高低折射率材料，等效层采用SiO和Ge，采用离子源辅助、合适基底温度等特定工艺镀制而成。该分色片在入射角为45°下测得：透射区波段2.5～2.95μm，4.2～4.8μm，T＞90％；反射区波段0.55～0.75μm，R＞70％。本发明分色片产品性能稳定，适合于现代多光谱空间遥感仪器的分色使用。
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公开(公告)号：CN101403805A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810202260.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种光谱阶跃式集成滤光片的制作方法，本发明结合真空镀膜技术和图形掩模工艺，实现多通道带通滤光片于同一基片的集成。该集成滤光片制作工艺简单，成品率高，可以与探测器的像元相匹配，构成高光谱成像光谱仪，能广泛用于航空航天遥感仪器的多(高)光谱密集获取。本发明的多通道光谱阶跃式集成滤光片具有的优点是：采用组合套镀的方法，成品率较传统的逐一集成的滤光片有很大提高；可以在微小区域形成多个光谱通道，能够实现空间位置和光谱位置的准确定位，易于实现高光谱。
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公开(公告)号：CN101226244A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810033432.7
申请日：2008-02-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B1/10
Abstract: 本发明公开了一种可见/红外宽光谱分色片的膜系结构。该膜系结构以介质－金属－介质(DMD)结构为基础，通过在外侧增加匹配层的方法增加通带的宽度。首先根据中远红外的反射率要求选择Ag层的厚度。再根据通带中心的位置选择两侧相邻介质层厚度。然后在最外层增加一层低折射率膜层以增加通带的宽度。最后将初始膜系结构输入计算机，利用膜系设计软件进行优化设计，找到最为合适的膜系结构。本膜系结构的优点在于：不用减小Ag层的厚度即可展宽分色片的通带宽度。
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公开(公告)号：CN1044498C
公开(公告)日：1999-08-04
申请号：CN96116317.8
申请日：1996-04-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种富碲碲化铅材料的制备方法。将预处理的原材料以富碲0.1～0.3%原子质量的配比排气封于石英管中的950～960℃下合成，在924～1000℃温度稳定后长晶，长晶温度梯度10～50℃/cm，长速0.1～15毫米/小时，降温到750～600℃进行中温淬火，再顺序于650～600℃、450～400℃、250～150℃进行三段退火，本发明方法制备的富碲碲化铅材料镀膜工艺简单而稳定，能有效地防止自由载流子吸收，膜层透过率高。十分适宜作为长波红外滤光片的镀膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101303424B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810038824.2
申请日：2008-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种三腔多通道光谱阶跃式集成滤光片，包括：本发明的光谱阶跃式集成滤光片通过改变间隔层中微区光学厚度的办法，采用三腔结构，结合真空镀膜技术和半导体离子束刻蚀工艺，实现多通道带通滤光片于同一基片的集成。该集成滤光片能广泛用于航空航天遥感仪器的多(高)光谱密集获取。本发明的多通道微型阶跃集成滤光片具有的优点是：通道光谱矩形度好，分光效率高；采用组合刻蚀的方法，成品率较传统的逐一集成的滤光片有很大提高；可以在微小区域形成多个光谱通道，能够实现空间位置和光谱位置的准确定位，易于实现高光谱。
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公开(公告)号：CN101403806A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810202261.6
申请日：2008-11-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见/短、中波红外宽光谱分色片，该分色片以锗为基底，反射堆以ZnS和YF3为高低折射率材料，等效层采用SiO和Ge，采用离子源辅助、合适基底温度等特定工艺镀制而成。该分色片在入射角为45°下测得：透射区波段2.5～2.95μm，4.2～4.8μm，＞90％；反射区波段0.55～0.75μm，＞70％。本发明分色片产品性能稳定，适合于现代多光谱空间遥感仪器的分色使用。
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公开(公告)号：CN1959447A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610118740.0
申请日：2006-11-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种45°入射宽光谱消偏振滤光片的构建方法，包括：采用两个中心波长不同的双反射膜堆加三匹配层的构思建立基本膜系，然后对基本膜系膜层厚度运用膜系设计与分析软件Tfcalc3.5中的变尺度优化方法进行优化，即得最终镀膜膜系的膜层厚度。本发明的滤光片构建方法具有的优点是只需高低折射率两种膜料；仅对部分膜层厚度进行优化，且膜层层数较少，易于镀制；入射角度对偏振变化不敏感；该滤光片具有宽光谱、低偏振度及高消光比的特点；滤光片的基底选材和膜料选材范围宽。
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公开(公告)号：CN1136092A
公开(公告)日：1996-11-20
申请号：CN96116317.8
申请日：1996-04-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种富碲碲化铅材料的制备方法。将预处理的原材料以富碲0.1～0.3％原子质量的配比排气封于石英管中的950～960℃下合成，在924～1000℃温度稳定后长晶，长晶温度梯度10～50℃/cm，长速0.1～15毫米/小时，降温到750～600℃进行中温淬火，再顺序于650～600℃、450～400℃、250～150℃进行三段退火。本发明方法制备的富碲碲化铅材料镀膜工艺简单而稳定，能有效地防止自由载流子吸收，膜层透过率高。十分适宜作为长波红外滤光片的镀膜材料。
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