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公开(公告)号：CN101252255A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810034077.5
申请日：2008-02-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体硅太赫兹激光源器件，包括：泵浦源、硅THz激光器芯片，为硅THz激光器芯片提供制冷的制冷系统。本发明的特征是：利用硅THz激光器芯片中具有更长2p0能级寿命的电离能为40.09meV类氢浅施主杂质NSD来替代硅THz激光器芯片中的杂质P实现5.40THz波段的激光输出。本发明的优点是容易实现2p0能级与较低s态之间的粒子数反转，此类THz激光源器件的品质因子较基于硅中V族浅施主杂质的激光源器件提高约3倍左右，极大提高了THz激光源器件的效率与性能。本发明器件所用硅材料制备方法为提拉法，工艺成熟，均匀性好。
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公开(公告)号：CN103107230B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110358927.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场，对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控，导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移，并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后，由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测，本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合，能在正入射条件下吸收响应THz辐射，克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点，大幅度提高了响应度。
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公开(公告)号：CN1862272A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610025716.2
申请日：2006-04-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种探测波长可调的太赫兹光电探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。它是应用外加磁场为调谐手段对探测频率进行调节的多量子阱结构的THz光电探测器。本发明的优点是克服了n－QWIP器件原理上导致的缺点，抑制了热辅助的暗电流和声子散射几率，增大了光生载流子寿命，提高探测器的响应率，并最终提高了探测器的探测率。本发明器件所用材料制备工艺成熟，材料均匀性好。
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公开(公告)号：CN103107230A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110358927.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场，对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控，导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移，并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后，由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测，本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合，能在正入射条件下吸收响应THz辐射，克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点，大幅度提高了响应度。
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公开(公告)号：CN100444419C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610025716.2
申请日：2006-04-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种探测波长可调的太赫兹光电探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。它是应用外加磁场为调谐手段对探测频率进行调节的多量子阱结构的THz光电探测器。本发明的优点是克服了n-QWIP器件原理上导致的缺点，抑制了热辅助的暗电流和声子散射几率，增大了光生载流子寿命，提高探测器的响应率，并最终提高了探测器的探测率。本发明器件所用材料制备工艺成熟，材料均匀性好。
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