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公开(公告)号：CN111721456A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010152321.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种复合触觉传感器，其包括力传感器，用于检测目标物体的压力值；摩擦发电机，该摩擦发电机与该力传感器连接，该摩擦发电机用于检测该目标物体与该摩擦发电机的接触滑移；支撑层，该支撑层上设有该力传感器和该摩擦发电机，该支撑层用于承载集成该力传感器和该摩擦发电机。本发明提供的复合触觉传感器具有能耗低的特点。
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公开(公告)号：CN111722707B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010337982.9
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器，该传感器的制作方法包括以下步骤：通过将圆片级未释放传感芯片正面的第一导电件和圆片级待键合封装基板正面的第二导电件键合；利用封装基板的力学支撑作用，对上述封装后待释放触觉传感器进行释放，能够实现超薄传感芯片的转移，在上述释放过程后，超薄传感芯片背面能够自发形成连续的硅膜结构，再将上述触觉传感器经过临时键合工艺、基板背面减薄工艺和划片工艺，得到分立的封装后背接触式触觉传感器，从而使得到的传感器能够通过组装工艺设于柔性基板上。本发明提供的触觉传感器具有尺寸小、封装成本低和大面积可扩展的特点。
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公开(公告)号：CN109734046A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811597857.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。本发明提供的真空封装工艺，利用硅-玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111721456B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010152321.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种复合触觉传感器，其包括力传感器，用于检测目标物体的压力值；摩擦发电机，该摩擦发电机与该力传感器连接，该摩擦发电机用于检测该目标物体与该摩擦发电机的接触滑移；支撑层，该支撑层上设有该力传感器和该摩擦发电机，该支撑层用于承载集成该力传感器和该摩擦发电机。本发明提供的复合触觉传感器具有能耗低的特点。
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公开(公告)号：CN111722707A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010337982.9
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器，该传感器的制作方法包括以下步骤：通过将圆片级未释放传感芯片正面的第一导电件和圆片级待键合封装基板正面的第二导电件键合；利用封装基板的力学支撑作用，对上述封装后待释放触觉传感器进行释放，能够实现超薄传感芯片的转移，在上述释放过程后，超薄传感芯片背面能够自发形成连续的硅膜结构，再将上述触觉传感器经过临时键合工艺、基板背面减薄工艺和划片工艺，得到分立的封装后背接触式触觉传感器，从而使得到的传感器能够通过组装工艺设于柔性基板上。本发明提供的触觉传感器具有尺寸小、封装成本低和大面积可扩展的特点。
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公开(公告)号：CN111792621B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010640709.3
申请日：2020-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。
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公开(公告)号：CN109734046B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811597857.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。本发明提供的真空封装工艺，利用硅‑玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。
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公开(公告)号：CN111792621A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010640709.3
申请日：2020-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。
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