公开(公告)号：CN117042467A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202210463418.0

申请日：2022-04-28

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 何慧凯 ,  李忠贤 ,  赵毅

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基阻变存储器及其制备方法，包括底电极、电介质层、缓冲层和顶电极，其中所述缓冲层的尺寸小于电介质层的尺寸；或，所述底电极的尺寸小于电介质层的尺寸。使得整个RRAM器件的导电通路为缓冲层金属M下方的区域或者是底电极TiN上方的区域。从而金属M可以夺取HfO2薄膜中的氧，在电场的作用下HfO2薄膜能够顺利发生导电丝通道的形成和断裂，即正常的阻变过程，可以大幅提升RRAM器件的成品率。

公开(公告)号：CN118231471A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410397252.6

申请日：2024-04-02

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 袁晓博 ,  何慧凯 ,  刘宗芳 ,  尤益辉 ,  肖金盼 ,  唐文涛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及氧化铪基铁电器件领域，具体是涉及一种基于预先热处理的ZrO2中间层的氧化铪基铁电器件及其制备方法。该基于预先热处理的ZrO2中间层的氧化铪基铁电器件，其栅极结构从下至上依次包括：背电极、衬底、预退火ZrO2中间层、栅极介质和顶电极，所述栅极介质为氧化铪基铁电材料。预退火ZrO2中间层是经过预先热处理的ZrO2结晶形成o相。本发明通过在氧化铪基铁电器件工艺中引入预退火ZrO2中间层，使氧化铪基铁电材料更容易沿着o相的ZrO2生长，从而形成更多的铁电相，诱导氧化铪基栅极介质产生更大的剩余极化强度，从而提高氧化铪基铁电器件的铁电性能。