公开(公告)号：CN109165400A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810738661.2

申请日：2018-07-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  李源 ,  陈乾潢 ,  方晨

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种聚焦离子束刻蚀加工工艺参数的设计方法，该方法包括：（1）确定基底材料及扫描策略；（2）基础结构试加工；（3）建立聚焦离子束溅射刻蚀轮廓计算模型；（4）利用试加工的基础结构轮廓数据与粒子群优化算法对模型中实验环境相关参数进行优化与修正；（5）工艺参数预估与设计；（6）代入模型计算加工刻蚀轮廓；（7）根据误差调整相应工艺参数代入模型计算，并反复调整比对，将最终得到的最优工艺参数即为最终设计参数；本发明通过少量实验数据便可以使聚焦离子束刻蚀轮廓计算模型的参数得到校正以适应于当前的设备与工艺环境，进一步方便有效率的实现FIB工艺参数的设计与校正。

公开(公告)号：CN110409000A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910601871.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  邵天洋 ,  陈乾潢 ,  柴青

IPC: C30B33/04 ,  C30B29/06 ,  G06N3/12

Abstract: 本发明公开了一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法，该方法包括：(1)建立He离子束加工单晶硅的损伤轮廓函数；(2)确定标定实验工艺参数；(3)进行标定实验；(4)通过遗传算法，建立损伤轮廓函数系数与工艺参数的关系模型；(5)建立He离子束加工单晶硅损伤轮廓模型；(6)预测目标加工损伤轮廓。本发明建立了He离子束加工单晶硅的轮廓函数，并基于少量的He离子束加工单晶硅的实验数据，建立了一个损伤轮廓模型，通过该模型可以实现对目标的加工损伤轮廓的预测，具有成本低、效率高的优点，同时具有普适性。

公开(公告)号：CN109165400B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201810738661.2

申请日：2018-07-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  李源 ,  陈乾潢 ,  方晨

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/18

Abstract: 本发明公开了一种聚焦离子束刻蚀加工工艺参数的设计方法，该方法包括：（1）确定基底材料及扫描策略；（2）基础结构试加工；（3）建立聚焦离子束溅射刻蚀轮廓计算模型；（4）利用试加工的基础结构轮廓数据与粒子群优化算法对模型中实验环境相关参数进行优化与修正；（5）工艺参数预估与设计；（6）代入模型计算加工刻蚀轮廓；（7）根据误差调整相应工艺参数代入模型计算，并反复调整比对，将最终得到的最优工艺参数即为最终设计参数；本发明通过少量实验数据便可以使聚焦离子束刻蚀轮廓计算模型的参数得到校正以适应于当前的设备与工艺环境，进一步方便有效率的实现FIB工艺参数的设计与校正。

公开(公告)号：CN110409000B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910601871.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  邵天洋 ,  陈乾潢 ,  柴青

IPC: C30B33/04 ,  C30B29/06 ,  G06N3/12

Abstract: 本发明公开了一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法，该方法包括：(1)建立He离子束加工单晶硅的损伤轮廓函数；(2)确定标定实验工艺参数；(3)进行标定实验；(4)通过遗传算法，建立损伤轮廓函数系数与工艺参数的关系模型；(5)建立He离子束加工单晶硅损伤轮廓模型；(6)预测目标加工损伤轮廓。本发明建立了He离子束加工单晶硅的轮廓函数，并基于少量的He离子束加工单晶硅的实验数据，建立了一个损伤轮廓模型，通过该模型可以实现对目标的加工损伤轮廓的预测，具有成本低、效率高的优点，同时具有普适性。