公开(公告)号：CN118315468A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410483918.X

申请日：2024-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 张彤 ,  胡臻智 ,  刘肇国 ,  周桓立 ,  周世杰 ,  张晓阳

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种垂直异质结超宽谱光电探测器及其制备方法，该探测器的结构自下而上分别为Si衬底层、氧化层、天线、沟道层。其中沟道层自下而上分别为Ta2NiSe5、石墨烯、MoS2。器件的制备步骤是：利用紫外光刻技术、电子束蒸镀技术、剥离等工艺制备形状特殊且具有耦合长波（太赫兹波段）能力的电极结构。通过干法转移技术，依次叠加Ta2NiSe5、石墨烯和MoS2层，最终形成了高效的垂直异质结沟道层。这种光电探测器表现出卓越的特性，如宽波段响应、高探测率、大响应度和低功耗，同时可以在常温下稳定工作，为宽谱光电探测提供了一种高效的解决方案。