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公开(公告)号：CN119342977A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411449988.X
申请日：2024-10-17
Applicant: 苏州亿现电子科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于X射线的直接型钙钛矿单晶线列探测器及其制备方法，包括TFT读出电路基板、光电二极管传感层和顶面基板；所述光电二极管传感层为钙钛矿单晶二极管层；所述顶面基板上设置有顶电极；所述TFT读出电路基板的连接电极和光电二极管传感层之间设置有各向异性绑定层，所述顶面基板和光电二极管传感层之间设置有各向异性绑定层，光电二极管传感层固定在顶面基板和TFT读出电路基板之间；所述各向异性绑定层为钙钛矿晶体绑定层。本发明使钙钛矿晶体光电二极管和连接电极之间具有较好的纵向导电性，以及很强的横向绝缘性。
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公开(公告)号：CN119095397A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411407974.1
申请日：2024-10-10
Applicant: 苏州亿欧特光电科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种FA0.85Cs0.15PbI3光电探测器，包括透明玻璃衬底、透明底电极、FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜、顶电极和偏置电源；所述透明玻璃衬底上设置图案化的透明底电极，透明玻璃衬底和透明底电极上设置有FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜，所述FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜上沉积图案化顶电极，所述透明底电极和顶电极之间设置偏置电源。所述光电探测器具有良好的吸收性能，并且响应度高，结构比较稳定；FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜通过喷涂法制备，并采用辅助重结晶退火的方法对钙钛矿薄膜后处理，减少了晶粒的缺陷，增大了晶粒尺寸，提高了探测器性能。
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公开(公告)号：CN113257847B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202110519054.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构，使其横向的载流子迁移率降低，载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中，光生载流子在纵向电场作用下，从顶电极向底电极输运，形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用，产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小，所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合，因此降低了邻近像素的串扰电荷信号，最终提高了γ射线的成像空间分辨率。
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公开(公告)号：CN118888633A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410921572.7
申请日：2024-07-10
Applicant: 苏州亿现电子科技有限公司 , 东南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115 , H10K71/00 , H10K30/60 , H10K85/50
Abstract: 本发明公开了一种基于层压梯度异质结的多能X射线探测器的制备方法，包括制备至少3种不同卤素的钙钛矿微晶粉末；通过粉末热压法制备依次层叠的至少3层钙钛矿晶片，其中，相邻两层的钙钛矿晶片形成卤素梯度异质结；在钙钛矿异质结晶片的侧面相对的两个表面分别制备阴极条状电极和阳极条状电极。通过粉末热压法制备钙钛矿晶片作为X射线探测器的活性层，可以利用较厚的钙钛矿晶片充分吸收和沉积高能X射线能量，提高探测器对X射线光子探测效率；同时，相邻两层的钙钛矿晶片能够形成卤素梯度异质结，由于不同能量X射线的穿透深度不同且梯度异质结每层的密度梯度变化，确保了不同能量的X射线光子沉积在不同层内。
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公开(公告)号：CN119024397A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411337976.8
申请日：2024-09-25
Applicant: 苏州亿欧特光电科技有限公司 , 东南大学
IPC: G01T1/202 , H01L31/115 , H01L31/032 , G01T1/20 , G01T1/24 , G01T7/00 , G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种Cs2AuYBr6‑xClx晶体X射线光探测器，包括Cs2AuYBr6‑xClx晶体作为双极性X射线传感层、电子阻挡层、空穴阻挡层、顶电极和底电极，探测器在正、负偏置电压下可以得到与X射线入射深度相关联的不同方向的探测电流，获得X射线双极性探测性能，通过调控Cs2AuYBr6‑xClx晶体的卤素组分，可以改变晶体的能带结构以及电子、空穴的传输性能，最终获得在正、负偏置电压下平衡的光电响应。本发明提出的X射线双极性探测器在正、负偏置电压下都可以获取有效的探测信号，增大了X射线图像的信息量，为机器学习X射线图像诊断提供了数据保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118930437A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410996840.1
申请日：2024-07-24
Applicant: 苏州亿现电子科技有限公司 , 东南大学
IPC: C07C209/00 , C04B35/622 , C04B35/515 , C07C211/04
Abstract: 本发明公开了一种用于可见光和X射线直接探测的透明陶瓷的制备方法，包括将BX2和AX溶解于有机溶剂中，得到ABX3钙钛矿前驱体溶液；ABX3钙钛矿前驱体溶液，通过加热搅拌析出，得到ABX3微晶；将ABX3微晶进行研磨，通过精细化热压工程处理，得到APbX3透明陶瓷。本发明通过精细的调控热压压力、温度和时间，一方面促进缺陷密度较高的钙钛矿晶片再生长，提高晶片的结晶度、降低缺陷密度、提高空气稳定性，具有良好的光学透明性；另一方面，在热压压力、温度和时间的共同作用下，进一步促进器件表面晶界融合、提高电荷传输性能、降低暗电流，从而获得高效率的可见光和X射线直接探测。
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公开(公告)号：CN114464751B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210146756.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学
IPC: H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高。
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公开(公告)号：CN114464751A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210146756.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高。
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公开(公告)号：CN113257847A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110519054.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构，使其横向的载流子迁移率降低，载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中，光生载流子在纵向电场作用下，从顶电极向底电极输运，形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用，产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小，所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合，因此降低了邻近像素的串扰电荷信号，最终提高了γ射线的成像空间分辨率。
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公开(公告)号：CN222840014U
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202421759816.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 苏州亿现电子科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种可见光‑X射线探测器结构，包括顶电极、透明陶瓷和底电极，所述透明陶瓷设置在底电极的上面，顶电极设置在透明陶瓷的上面；所述探测器结构的输入端还设置有对可见光不透明的遮光快门。所述透明陶瓷为APbX3透明陶瓷。当可见光遮光开门关闭，探测器仅获得X射线探测信号；当可见光遮光快门打开，探测器获得X射线加可见光探测信号。将上述两个信号相减，即可获得可见光探测信号。本实用新型提出的同一块探测器可以分别探测物体的可见光信号和X射线信号，提高了物体识别能力。
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