公开(公告)号：CN110412088A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910728452.4

申请日：2019-08-08

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  赵思凯 ,  钟祥熙 ,  翁绍涵 ,  韩聪 ,  方萍 ,  魏德洲

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y35/00

Abstract: 本发明公开了一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源，氯金酸为金源，采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75～125nm的Au掺杂In2O3纳米球。将制备的Au掺杂In2O3纳米球分散在乙醇溶液中，制备成气敏料浆，然后将其均匀地涂覆在电极元件表面，制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In2O3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性，并且具有良好的响应可逆性，重复性和稳定性，能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白，对于保障选矿厂浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。

公开(公告)号：CN110412088B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201910728452.4

申请日：2019-08-08

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  赵思凯 ,  钟祥熙 ,  翁绍涵 ,  韩聪 ,  方萍 ,  魏德洲

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y35/00

Abstract: 本发明公开了一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源，氯金酸为金源，采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75～125nm的Au掺杂In2O3纳米球。将制备的Au掺杂In2O3纳米球分散在乙醇溶液中，制备成气敏料浆，然后将其均匀地涂覆在电极元件表面，制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In2O3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性，并且具有良好的响应可逆性，重复性和稳定性，能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白，对于保障选矿厂浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。