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公开(公告)号：CN119480685A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411017648.X
申请日：2024-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供温度控制方法和基片处理装置，以比加热部的控制极限值精细的精度进行温度控制。温度控制方法由包括处理容器和加热部的基片处理装置执行，可将基片送入和送出处理容器，加热部可对处理容器内进行加热，方法包括：a步骤，设定对于目标温度的温度变化量，目标温度的值具有到比表示加热部的控制极限值的第一位小的第二位为止的数值；b步骤，将温度变化量分为第一位以上的第一温度和小于第一位的第二温度，计算将时间长度分为与第二温度对应的第一时间和其以外的第二时间的比率，时间长度被拆分为与第一位和第二位的数量级之差对应的倍数份；和c步骤，控制加热部，使温度在按比率将基片的处理步骤的时间分成的前后时间进行上下变化。
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公开(公告)号：CN115454170A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210598634.6
申请日：2022-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供温度校正信息计算装置、半导体制造装置、程序和温度校正信息计算方法。半导体制造装置通过以根据在内壁累积的累积膜厚而校正了的设定温度对被处理体进行热处理来进行成膜，温度校正信息计算装置包括：模型存储部，其存储用于生成将累积膜厚与温度校正值相关联的温度校正信息的模型；学习判断部，其在获得了热处理的成膜结果的情况下，判断是否进行模型的更新；模型学习部，其在学习判断部判断为进行模型的更新的情况下，基于对被处理体的成膜结果来更新模型；和温度校正信息生成部，其使用模型学习部所更新了的模型来生成温度校正信息，并根据温度校正信息校正设定温度。根据本发明，能够容易地调节对被处理体进行的热处理的设定温度。
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公开(公告)号：CN115494890A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210655958.9
申请日：2022-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种能够对针对被处理物的热处理的设定温度进行调整的温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、记录介质。半导体制造装置以接近根据累积在半导体制造装置的内壁上的累积膜厚而校正的设定温度的方式使用加热器对温度进行控制，并执行被处理物的成膜处理，半导体制造装置的温度校正信息计算装置包括：存储部，存储用于对设定温度进行校正的温度校正值；取得部，取得包含在通过执行成膜处理而生成的日志信息中的施加到加热器的第一加热器功率；功率预测部，将因设定温度的变化而引起的加热器功率的波动量加到第一加热器功率以预测第二加热器功率；以及温度校正信息生成部，通过由功率预测部预测的第二加热器功率，对温度校正值进行校正。
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