公开(公告)号：CN101288161A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200680038222.6

申请日：2006-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  高桥毅 ,  下村晃司 ,  有贺美辉

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种在硅基板上形成高介电体膜的方法，该方法包括：对所述硅基板表面进行稀氟酸处理的工序；在所述稀氟酸处理工序之后，向所述硅基板表面供给含有Hf和氮的有机金属原料，进行HfN的核形成的工序；以及在所述核形成工序之后，向所述硅基板表面供给含Hf的有机金属原料和含Si的有机原料，利用CVD法形成硅酸Hf膜的工序。

公开(公告)号：CN101326620B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780000645.3

申请日：2007-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有贺美辉 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  下村晃司

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行上述氮原子的导入处理和上述热处理，将上述被处理基板在上述第一位置处理后，在上述第二处理位置在30秒以内开始对其处理。

公开(公告)号：CN101326620A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200780000645.3

申请日：2007-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有贺美辉 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  下村晃司

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行上述氮原子的导入处理和上述热处理，将上述被处理基板在上述第一位置处理后，在上述第二处理位置在30秒以内开始对其处理。