-
公开(公告)号：CN109679343B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201811106842.X
申请日：2018-09-21
Applicant: 杜邦-东丽株式会社
Abstract: 提供一种新型聚酰亚胺膜。在第一方式中，关于聚酰亚胺膜，将MD方向的热膨胀系数(αTMD)、TD方向的热膨胀系数(αTTD)均设定为2～7ppm/℃，将丨αTMD‑αTTD丨设定为2ppm/℃以下，将MD方向的湿度膨胀系数(αHMD)、TD方向的湿度膨胀系数(αHTD)均设定为3～16ppm/％RH，将丨αHMD‑αHTD丨设定为5ppm/％RH以下。在第二方式中，关于聚酰亚胺膜，将MD方向的拉伸弹性模量(EMD)、TD方向的拉伸弹性模量(ETD)均设定为5～9GPa，将丨EMD‑ETD丨设定为2GPa以下，将面内各向异性指数(MT比)设定为13以下，将静摩擦系数和动摩擦系数两者设定为0.8以下。
-
公开(公告)号：CN108795040A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810263962.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 杜邦-东丽株式会社
Abstract: 本发明涉及一种聚酰亚胺膜。本发明提供能够用于两面覆铜层叠板等的新型的聚酰亚胺膜。在第一方式中，在含有无机粒子的聚酰亚胺膜中，在将膜一侧的面a上的高度为0.8μm以上的突起的比例设为A个/100cm2、将膜另一侧的面b上的高度为0.8μm以上的突起的比例设为B个/100cm2时，使A和B均成为10个以下。在第二方式中，在含有无机粒子的聚酰亚胺膜中，可以将所述A与B之差的绝对值设为2以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105295043A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510282689.6
申请日：2015-05-28
Applicant: 杜邦-东丽株式会社
Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺膜。本发明的目的在于得到膜的尺寸变化得以减小、并且MD与TD的热膨胀系数差小而呈各向同性、适合于半导体封装体用途、半导体制造工艺用途、显示器用途、太阳能电池基板、细节距电路用基板等要求尺寸稳定性的用途的聚酰亚胺膜。一种聚酰亚胺膜，使用含有对苯二胺的芳香族二胺成分和酸酐成分而得到，其特征在于，使用岛津制作所制造的TMA-50在测定温度范围为50～200℃、升温速度为10℃/分钟的条件下进行测定而得到的膜的机械输送方向(MD)的热膨胀系数αMD和宽度方向(TD)的热膨胀系数αTD这两者在0ppm/℃以上且小于7.0ppm/℃的范围内，且满足|αMD-αTD|＜3的关系。
-
公开(公告)号：CN105295043B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510282689.6
申请日：2015-05-28
Applicant: 杜邦-东丽株式会社
Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺膜。本发明的目的在于得到膜的尺寸变化得以减小、并且MD与TD的热膨胀系数差小而呈各向同性、适合于半导体封装体用途、半导体制造工艺用途、显示器用途、太阳能电池基板、细节距电路用基板等要求尺寸稳定性的用途的聚酰亚胺膜。一种聚酰亚胺膜，使用含有对苯二胺的芳香族二胺成分和酸酐成分而得到，其特征在于，使用岛津制作所制造的TMA‑50在测定温度范围为50～200℃、升温速度为10℃/分钟的条件下进行测定而得到的膜的机械输送方向(MD)的热膨胀系数αMD和宽度方向(TD)的热膨胀系数αTD这两者在0ppm/℃以上且小于7.0ppm/℃的范围内，且满足|αMD‑αTD|＜3的关系。
-
公开(公告)号：CN109679343A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811106842.X
申请日：2018-09-21
Applicant: 杜邦-东丽株式会社
Abstract: 提供一种新型聚酰亚胺膜。在第一方式中，关于聚酰亚胺膜，将MD方向的热膨胀系数(αTMD)、TD方向的热膨胀系数(αTTD)均设定为2～7ppm/℃，将丨αTMD-αTTD丨设定为2ppm/℃以下，将MD方向的湿度膨胀系数(αHMD)、TD方向的湿度膨胀系数(αHTD)均设定为3～16ppm/％RH，将丨αHMD-αHTD丨设定为5ppm/％RH以下。在第二方式中，关于聚酰亚胺膜，将MD方向的拉伸弹性模量(EMD)、TD方向的拉伸弹性模量(ETD)均设定为5～9GPa，将丨EMD-ETD丨设定为2GPa以下，将面内各向异性指数(MT比)设定为13以下，将静摩擦系数和动摩擦系数两者设定为0.8以下。
-
公开(公告)号：CN1204611C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01803144.7
申请日：2001-08-22
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/86 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/49572 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/45144 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , Y10T428/24843 , Y10T428/28 , Y10T428/2852 , Y10T428/287 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明涉及用于半导体装置的并带有粘合剂的带，该带由绝缘性膜层和1层以上的半固化状态的粘合剂层的层积物构成，其中，该绝缘性膜层在50℃～200℃的在膜宽度方向上的线膨胀系数为17ppm/℃～30ppm/℃，此外，拉伸弹性率为6GPa～12GPa，并且该粘合剂层的在宽度方向上的在150℃的弹性率为1MPa～5GPa，在25℃～150℃的线膨胀系数在10ppm/℃～500ppm/℃范围里。本发明提供了由所述构成的、适于工业中制成半导体装置的带粘合剂的带以及使用了它的铜膜叠层板、半导体连接用基板和半导体装置的材料，可以提高高密度实装用的半导体装置的可靠性。
-
公开(公告)号：CN1393033A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01803144.7
申请日：2001-08-22
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/86 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/49572 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/45144 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , Y10T428/24843 , Y10T428/28 , Y10T428/2852 , Y10T428/287 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明涉及以具有下述特性(1)、(2)的绝缘性膜层和1层以上的半固化状态的粘合剂层的层积物所构成为特征的半导体用有粘合剂的带，(1)在50～200℃膜的宽度方向(TD)的线膨胀系数为17～30ppm/℃；(2)拉伸弹性率为6～12GPa。本发明提供了由所述构成的、适合于工业中制成半导体装置的带粘合剂的带以及使用了它的铜膜叠层板、半导体连接用基板和半导体装置的材料，可以提高高密度实装用的半导体装置的可靠性。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.023 seconds)
