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公开(公告)号：CN101419453A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810203482.5
申请日：2008-11-27
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，具体地是一种IC塑封模内压力监测控制产品质量方法及其设备，包括模具调试阶段的工艺数据采集、分析和优化、设定功能的实现过程及产品生产阶段的工艺监控功能的实现过程，其特征在于所述模具调试阶段和产品生产阶段中的工艺数据为每个模内型腔压力传感器测得的实际型腔压力值；本发明有益效果：将高精度压力传感器技术与计算机技术结合在一起，将其应用到IC塑封工艺中直接监测每个塑封型腔中压力的变化，弥补了以往只能通过控制液压系统压力来间接控制型腔压力的不足，可以大大改善塑封工艺控制的精度，降低众多型腔间熔料压力的不平衡程度，减小对金丝和芯片的冲击，减少产品内应力，提高产品使用寿命和合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271137A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810036965.0
申请日：2008-05-05
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及半导体领域制造测试领域，具体地是一种用于半导体薄膜材料电学性能表征的Pseudo－MOS测试台及其测试方法，包括测试台、测试台架、固定配件、导电载物台及测试屏蔽盒，其特征在于：还包括压力控制系统、探针定位系统，测试台上装有导电载物台及测试屏蔽盒，压力控制系统、探针定位系统采用固定配件安装在测试台架上；本发明的有益效果是：该测试台在样品不接受外界光电干预的条件下便可以对样品施加相应的电流、电压，从而对半导体薄膜样品进行电学性能测试，测试的数据非常精确，而且测试周期短。
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公开(公告)号：CN101419453B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810203482.5
申请日：2008-11-27
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，具体地是一种IC塑封模内压力监测控制产品质量方法及其设备，包括模具调试阶段的工艺数据采集、分析和优化、设定功能的实现过程及产品生产阶段的工艺监控功能的实现过程，其特征在于所述模具调试阶段和产品生产阶段中的工艺数据为每个模内型腔压力传感器测得的实际型腔压力值；本发明有益效果：将高精度压力传感器技术与计算机技术结合在一起，将其应用到IC塑封工艺中直接监测每个塑封型腔中压力的变化，弥补了以往只能通过控制液压系统压力来间接控制型腔压力的不足，可以大大改善塑封工艺控制的精度，降低众多型腔间熔料压力的不平衡程度，减小对金丝和芯片的冲击，减少产品内应力，提高产品使用寿命和合格率。
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公开(公告)号：CN101403099A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810200801.7
申请日：2008-10-06
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体地是一种金属掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下衬底清洗后放入磁控溅射装置室中，其反应室抽取成高洁净度真空；采用高纯度金属条为掺杂物及高纯度Zn为原料，将金属条按若干比例固定于Zn靶上；以纯Ar气和纯氧气为溅射气体和反应气体，经流量计控制输入真空反应溅射室，进行溅射生长；生长后在真空环境下退火处理；本发明有益效果：实现了对金属掺杂量的控制，反应中采用射频溅射的模式能有效降低金属靶在反应溅射中受氧化的影响，使得溅射保持持续稳定，最后接合相应的真空退火工艺，优化了MZO薄膜的光学和电学性能。该方法简化了工艺过程，减少了整体研发工序，缩短了周期，节约了成本。
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公开(公告)号：CN201307237Y
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200820156037.3
申请日：2008-11-27
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件领域，具体地是一种IC塑封模内压力监测控制产品质量的工艺监控设备，数据记录控制系统的输出端连接数据处理系统，数据处理系统的输出端分别连接压力控制器、监视显示屏，其特征在于：在IC塑封模具的每个型腔内设置压力传感器，压力传感器的输出端连接工艺监控装置；本实用新型有益效果：将高精度压力传感器技术与计算机技术结合在一起，将其应用到IC塑封工艺中直接监测每个塑封型腔中压力的变化，弥补了以往只能通过控制液压系统压力来间接控制型腔压力的不足，可以大大改善塑封工艺控制的精度，降低众多型腔间熔料压力的不平衡程度，减小对金丝和芯片的冲击，减少产品内应力，提高产品使用寿命和合格率。
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公开(公告)号：CN201210180Y
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200820058014.9
申请日：2008-05-05
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型涉及半导体领域制造测试领域，具体地是一种用于新型绝缘体上半导体薄膜电学表征的测试系统，包括测试台、测试台架、固定配件、导电载物台及测试屏蔽盒，其特征在于：还包括压力控制系统、探针定位系统，测试台上装有导电载物台及测试屏蔽盒，压力控制系统、探针定位系统采用固定配件安装在测试台架上；本实用新型的有益效果是：该测试台在样品不接受外界光电干预的条件下便可以对样品施加相应的电流、电压，从而对半导体薄膜样品进行电学性能测试，测试的数据非常精确，而且测试周期短。
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