公开(公告)号：CN102337588A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110336271.0

申请日：2011-10-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  马磊 ,  杨伟光 ,  刘晟 ,  胡喆 ,  刘功龙 ,  陈亮亮

IPC: C30B28/12 ,  C30B29/12 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为晶种层，通过真空蒸发物理气相沉积法在晶种层上沉积生长高取向性多晶碘化汞厚膜的制备方法。生长出来的高取向性多晶碘化汞厚膜特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属于半导体厚膜制备技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。以碘化汞薄膜作为晶种层，再通过真空蒸发物理气象沉积法沉积生长多晶碘化汞厚膜，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的高取向性多晶碘化汞厚膜。

公开(公告)号：CN102517544A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110449815.4

申请日：2011-12-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 马磊 ,  史伟民 ,  刘功龙 ,  杨伟光 ,  陈亮亮

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C30B29/12 ,  C30B28/12

Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为晶种层，通过超声波作用下真空蒸发物理气相沉积法在晶种层上沉积生长高质量多晶碘化汞厚膜的制备方法。生长出来的多晶碘化汞厚膜特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属于半导体厚膜制备技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。以碘化汞薄膜作为晶种层，再通过超声波作用下真空蒸发物理气象沉积法沉积生长多晶碘化汞厚膜，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的高质量多晶碘化汞厚膜。

公开(公告)号：CN102351430B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110192217.3

申请日：2011-07-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  马磊 ,  杨伟光 ,  刘功龙 ,  陈亮亮 ,  刘晟 ,  胡喆 ,  周杰

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过度缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。对所制备的薄膜采用金相显微镜、XRD、紫外-可见分光光度计进行表征。结果表明化学液相垂直沉积法可制备得到沿 晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且晶粒结构完整性好、均匀性佳，膜厚约为800nm，禁带宽度为2.26eV。本发明具有潜在的实际应用前景。

公开(公告)号：CN102351430A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110192217.3

申请日：2011-07-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  马磊 ,  杨伟光 ,  刘功龙 ,  陈亮亮 ,  刘晟 ,  胡喆 ,  周杰

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过渡缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。对所制备的薄膜采用金相显微镜、XRD、紫外-可见分光光度计进行表征。结果表明化学液相垂直沉积法可制备得到沿 晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且晶粒结构完整性好、均匀性佳，膜厚约为800nm，禁带宽度为2.26eV。本发明具有潜在的实际应用前景。