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公开(公告)号：CN101952484A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980104941.7
申请日：2009-02-04
Applicant: 三菱制纸株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K2203/075 , H05K2203/1476 , H05K2203/1563 , H05K2203/1572
Abstract: 使用与被蚀刻金属反应形成不溶性化合物的蚀刻液来进行蚀刻。在使用所述蚀刻液的蚀刻之后，以与被蚀刻金属反应不形成不溶性化合物的蚀刻液来进行蚀刻，由此使蚀刻形状接近矩形，且导体图案的侧面变得平滑。此外，在使用与被蚀刻金属反应形成不溶性化合物的蚀刻液从大致下方进行蚀刻后，将被蚀刻材料的上下反转，通过从大致下方进行相反面的蚀刻，由此可在基板的两面形成微细的导体图案。
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公开(公告)号：CN102257180A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151047.5
申请日：2009-12-04
Applicant: 三菱制纸株式会社
Abstract: 以水作为主成分，含有（1）5～20质量％的氯化铁（III）、（2）0.5～3质量％的氯化铜（II）、（3）相对于氯化铁（III）而言为5～20质量％的与铜形成不溶性的盐的化合物的铜或铜合金用的蚀刻液，及使用该蚀刻液作为新液的蚀刻方法，以及使用在同一光路内同时测量的2个以上不同波长下的透射率之比来进行再生管理的蚀刻液的再生管理方法。
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公开(公告)号：CN101952484B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980104941.7
申请日：2009-02-04
Applicant: 三菱制纸株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K2203/075 , H05K2203/1476 , H05K2203/1563 , H05K2203/1572
Abstract: 使用与被蚀刻金属反应形成不溶性化合物的蚀刻液来进行蚀刻。在使用所述蚀刻液的蚀刻之后，以与被蚀刻金属反应不形成不溶性化合物的蚀刻液来进行蚀刻，由此使蚀刻形状接近矩形，且导体图案的侧面变得平滑。此外，在使用与被蚀刻金属反应形成不溶性化合物的蚀刻液从大致下方进行蚀刻后，将被蚀刻材料的上下反转，通过从大致下方进行相反面的蚀刻，由此可在基板的两面形成微细的导体图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101910468A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102252.2
申请日：2009-01-08
Applicant: 三菱制纸株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K2203/0392 , H05K2203/1476
Abstract: 提供以水作为主要成分，含有(1)1～20质量％的氯化铁(III)和(2)相对于氯化铁为5～100质量％的草酸的蚀刻液，以及使用上述蚀刻液的蚀刻方法。上述蚀刻方法中，用含有选自溶解铜或铜合金的成分和酸的至少一种成分的水溶液进行前处理，由此可以实现良好的收率。
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公开(公告)号：CN101910468B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980102252.2
申请日：2009-01-08
Applicant: 三菱制纸株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K2203/0392 , H05K2203/1476
Abstract: 提供以水作为主要成分，含有(1)1～20质量％的氯化铁(III)和(2)相对于氯化铁为5～100质量％的草酸的蚀刻液，以及使用上述蚀刻液的蚀刻方法。上述蚀刻方法中，用含有选自溶解铜或铜合金的成分和酸的至少一种成分的水溶液进行前处理，由此可以实现良好的收率。
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公开(公告)号：CN102257180B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980151047.5
申请日：2009-12-04
Applicant: 三菱制纸株式会社
Abstract: 以水作为主成分，含有（1）5～20质量％的氯化铁（III）、（2）0.5～3质量％的氯化铜（II）、（3）相对于氯化铁（III）而言为5～20质量％的与铜形成不溶性的盐的化合物的铜或铜合金用的蚀刻液，及使用该蚀刻液作为新液的蚀刻方法，以及使用在同一光路内同时测量的2个以上不同波长下的透射率之比来进行再生管理的蚀刻液的再生管理方法。
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公开(公告)号：CN102348833B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201080011268.5
申请日：2010-02-26
Applicant: 三菱制纸株式会社
CPC classification number: C23F1/08 , C23F1/18 , H05K3/068 , H05K2203/075
Abstract: 一种蚀刻装置，其将喷射角85～130°的充圆锥喷嘴配置成：使自各喷嘴喷射的被蚀刻面上的喷射图案的面积，为由以下被蚀刻面上的点构成的各中间线所围成的面积的4倍以上，该被蚀刻面上的点位于相距以该喷嘴的喷射轴与被蚀刻面的交点所表示的该喷嘴的中心点的距离、及相距以各邻接喷嘴的喷射轴与被蚀刻面的交点所表示的各邻接喷嘴的中心点的距离为等距离的位置，通过使用该蚀刻装置进行的蚀刻方法，可高效率地制造具有剖面形状更接近矩形的细微的导体图案的印刷布线板。该蚀刻装置若使用的蚀刻液中含有与铜反应后形成阻碍蚀刻的物质的化合物，则可获得剖面形状更接近矩形的导体图案。
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公开(公告)号：CN102348833A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011268.5
申请日：2010-02-26
Applicant: 三菱制纸株式会社
CPC classification number: C23F1/08 , C23F1/18 , H05K3/068 , H05K2203/075
Abstract: 一种蚀刻装置，其将喷射角85～130°的充圆锥喷嘴配置成：使自各喷嘴喷射的被蚀刻面上的喷射图案的面积，为由以下被蚀刻面上的点构成的各中间线所围成的面积的4倍以上，该被蚀刻面上的点位于相距以该喷嘴的喷射轴与被蚀刻面的交点所表示的该喷嘴的中心点的距离、及相距以各邻接喷嘴的喷射轴与被蚀刻面的交点所表示的各邻接喷嘴的中心点的距离为等距离的位置，通过使用该蚀刻装置进行的蚀刻方法，可高效率地制造具有剖面形状更接近矩形的细微的导体图案的印刷布线板。该蚀刻装置若使用的蚀刻液中含有与铜反应后形成阻碍蚀刻的物质的化合物，则可获得剖面形状更接近矩形的导体图案。
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