热电偶用放大电路以及温度监视系统

    公开(公告)号:CN102798479A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201210164638.X

    申请日:2012-05-24

    Inventor: 山口公一

    Abstract: 本发明提供一种温度检测信号的精度提高的热电偶用放大电路以及温度监视系统。所述热电偶用放大电路具有:集电极接地的第一晶体管(Q11),其集电极接地,热电偶的一端的电压提供给基极然后从发射极输出;集电极接地的第二晶体管(Q12),其集电极接地,热电偶的另一端的电压提供给基极然后从发射极输出;基极接地的第三晶体管(Q14),其基极为恒定电位,第一晶体管的输出提供给发射极然后从集电极输出;基极接地的第四晶体管(Q15),其基极为恒定电位,第二晶体管的输出提供给发射极然后从集电极输出;以及运算放大器(15),其对第三晶体管的输出与第四晶体管的输出进行差动放大。

    半导体集成电路
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103023480B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201210364883.5

    申请日:2012-09-26

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将箝位电压设定为正确值的半导体集成电路。该半导体集成电路具有:恒定电流部(60),其被供给电源并产生恒定电流,其中所述电源为第一电压;箝位部(71),其被供给由恒定电流部(60)产生的恒定电流并产生比第一电压低的第二电压,将第一电压的电源箝位在第二电压;以及基准电压产生部72),其被供给由箝位部(71)箝位后的电源并产生基准电压,箝位部(71)是将栅极与漏极连接并纵型连接而成的多级MOS晶体管(M11-1~M11-n)。

    电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路

    公开(公告)号:CN102156505B

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201010613497.6

    申请日:2010-12-24

    CPC classification number: G05F3/26 G05F3/242 H03K3/0231 H03K4/501

    Abstract: 本发明涉及电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。本发明的目的在于提供以简单的结构来补偿耗尽型MOS晶体管的温度特性的电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。所述电流源电路的特征在于,包含:由两个增强型MOS晶体管(Q2、Q3)构成的电流镜电路;与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的漏极连接,作为恒流源而工作的耗尽型MOS晶体管(Q1);与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的源极连接的、具有负的温度特性的电阻。

    稳压器电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1755568A

    公开(公告)日:2006-04-05

    申请号:CN200510008884.6

    申请日:2005-02-24

    Inventor: 山口公一

    Abstract: 廉价提供一种能够适应输出电容器Co的低容量化、低ESR化的稳压器电路。该稳压器电路具备连接在电源端子(VDD)和输出端子(VOUT)之间的输出晶体管(Q10)、将输出端子和接地端子之间的输出电压分压并从中间节点(N1)产生分压电压的分压电路(R1、R2)、产生对应基准电压与上述分压电压的差值的误差信号的误差信号放大器(Q1~Q8、11)以及根据误差信号控制输出晶体管的控制晶体管(Q9);其中,第一相位校正电容器(C1)连接在输出端子和分压电路的中间节点(N1)之间,第二相位校正电容器(C2)连接在输出端子和误差信号放大器的规定的节点(N2)之间。

    热电偶用放大电路以及温度监视系统

    公开(公告)号:CN102798479B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201210164638.X

    申请日:2012-05-24

    Inventor: 山口公一

    Abstract: 本发明提供一种温度检测信号的精度提高的热电偶用放大电路以及温度监视系统。所述热电偶用放大电路具有:集电极接地的第一晶体管(Q11),其集电极接地,热电偶的一端的电压提供给基极然后从发射极输出;集电极接地的第二晶体管(Q12),其集电极接地,热电偶的另一端的电压提供给基极然后从发射极输出;基极接地的第三晶体管(Q14),其基极为恒定电位,第一晶体管的输出提供给发射极然后从集电极输出;基极接地的第四晶体管(Q15),其基极为恒定电位,第二晶体管的输出提供给发射极然后从集电极输出;以及运算放大器(15),其对第三晶体管的输出与第四晶体管的输出进行差动放大。

    半导体集成电路
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103023480A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210364883.5

    申请日:2012-09-26

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将箝位电压设定为正确值的半导体集成电路。该半导体集成电路具有:恒定电流部(60),其被供给电源并产生恒定电流,其中所述电源为第一电压;箝位部(71),其被供给由恒定电流部(60)产生的恒定电流并产生比第一电压低的第二电压,将第一电压的电源箝位在第二电压;以及基准电压产生部(72),其被供给由箝位部(71)箝位后的电源并产生基准电压,箝位部(71)是将栅极与漏极连接并纵型连接而成的多级MOS晶体管(M11-1~M11-n)。

    调节电路
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101887284A

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN201010177816.3

    申请日:2010-05-11

    Inventor: 山口公一

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制输出电压中的过冲的发生的调节电路。调节电路包括:产生基准电压的基准电压产生部(4、5);产生控制信号从而使所述基准电压产生部开始动作或者结束动作的开关部(3、M1、M2);将对应于输出电压的电压与基准电压之间进行差动放大并输出误差信号的差动放大部(6);以及根据所述误差信号使输出电压可变的输出晶体管(M3),所述调节电路包括:延迟部(10),其使控制信号的电平变化延迟,并输出延迟控制信号;以及延迟动作开关部(M4、M5),其使用延迟控制信号使输出晶体管带有延迟地开始动作。

    稳压器电路
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100582991C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200510008884.6

    申请日:2005-02-24

    Inventor: 山口公一

    Abstract: 廉价提供一种能够适应输出电容器Co的低容量化、低ESR化的稳压器电路。该稳压器电路具备连接在电源端子(VDD)和输出端子(VOUT)之间的输出晶体管(Q10)、将输出端子和接地端子之间的输出电压分压并从中间节点(N1)产生分压电压的分压电路(R1、R2)、产生对应基准电压与上述分压电压的差值的误差信号的误差信号放大器(Q1~Q8、11)以及根据误差信号控制输出晶体管的控制晶体管(Q9);其中,第一相位校正电容器(C1)连接在输出端子和分压电路的中间节点(N1)之间,第二相位校正电容器(C2)连接在输出端子和误差信号放大器的规定的节点(N2)之间。

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