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公开(公告)号:CN102244364A
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201110134781.X
申请日:2011-05-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02216 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02228 , H01S5/02244 , H01S5/02292 , H01S5/02296 , H01S5/02469 , H01S5/0683 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置。该半导体激光装置具有半导体激光元件和将半导体激光元件密封的封装体。封装体具有用于安装半导体激光元件的基部、密封用部件和窗用部件。半导体激光元件由基部、密封用部件和窗用部件密封。基部、密封用部件和窗用部件中的至少二个部件相互通过由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成的密封剂接合。
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公开(公告)号:CN1433072A
公开(公告)日:2003-07-30
申请号:CN03100968.9
申请日:2003-01-10
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor: 岡山芳央
IPC: H01L23/48 , H01L23/538 , H01P3/00 , H05K3/46
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种能包含能简化制造工序的传输线路构造的配线构造。该配线构造,包括在基板上的第1绝缘膜上形成的第1槽,沿第1槽的内面的至少一部分、形成在第1槽的延伸方向的第1配线,以及构成与第1配线一起传输信号用的传输线路、经第2绝缘膜、与第1配线对向形成的第2配线;并且,将第1配线、第2绝缘膜及第2配线埋入在第1槽内。经过形成第1槽时的1次的石印工序、腐蚀工序及保护膜除去工序、以及1次的CMP工序、形成该配线构造,因此能简化制造工序。
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