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公开(公告)号：CN101847457A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010132418.X
申请日：2010-03-10
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01B1/12 , H01B5/14 , H01G9/028 , C08L79/02 , C08L65/00 , C08G73/02 , C08G61/12 , C08K3/30 , C08K3/28 , C08K5/42 , C08K5/3432
CPC classification number: H01B1/127 , C08G61/126 , C08G2261/3223 , C08G2261/51 , C08G2261/792 , C08K5/42 , H01G9/0036 , H01G9/028 , H01G9/15 , H01G11/48 , H01G11/56 , Y02E10/549 , Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种导电性高分子膜、电子设备以及它们的制造方法。本发明的目的在于提高导电性高分子膜和固体电解电容器等电子设备所使用的导电性高分子膜的导电性。导电性高分子膜使用含有导电性高分子的单体、氧化剂和添加剂的聚合液而形成。作为添加剂，使用由掺杂剂和碱性物质形成的盐。
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公开(公告)号：CN1921170A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121831.X
申请日：2006-08-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01B1/00 , C07D333/20 , C07D495/04 , C07D495/22
CPC classification number: C07D333/20 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种有机半导体材料，其特征在于，包括具有仲胺或叔胺结构的胺单元和具有噻吩环结构的噻吩单元，其中胺单元的特征在于，优选具有以下结构。式中，R1、R2和R3为氢、可以有取代基的烷基、可以有取代基的烷氧基、可以有取代基的醚基、或可以有取代基的芳基，相互之间可以相同也可以不同。
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公开(公告)号：CN101877281B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010214713.X
申请日：2010-04-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01G9/15 , H01G9/0036 , H01G9/028
Abstract: 本发明涉及静电电容高且耐热性优异的固体电解电容器。该固体电解电容器包括：阳极(2)；在阳极(2)的表面上设置的电介质层(3)；在电介质层(3)上设置的第一导电性高分子层(4a)；在第一导电性高分子层(4a)上设置的第二导电性高分子层(4b)；在第二导电性高分子层(4b)上设置的第三导电性高分子层(4c)；和在第三导电性高分子层(4c)上设置的阴极层，其特征在于：第一导电性高分子层(4a)由将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第二导电性高分子层(4b)由将噻吩或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第三导电性高分子层(4c)由将吡咯或其衍生物电解聚合而形成的导电性高分子膜构成。
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公开(公告)号：CN101877281A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010214713.X
申请日：2010-04-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01G9/15 , H01G9/0036 , H01G9/028
Abstract: 本发明涉及静电电容高且耐热性优异的固体电解电容器。该固体电解电容器包括：阳极(2)；在阳极(2)的表面上设置的电介质层(3)；在电介质层(3)上设置的第一导电性高分子层(4a)；在第一导电性高分子层(4a)上设置的第二导电性高分子层(4b)；在第二导电性高分子层(4b)上设置的第三导电性高分子层(4c)；和在第三导电性高分子层(4c)上设置的阴极层，其特征在于：第一导电性高分子层(4a)由将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第二导电性高分子层(4b)由将噻吩或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第三导电性高分子层(4c)由将吡咯或其衍生物电解聚合而形成的导电性高分子膜构成。
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公开(公告)号：CN102194579A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110032730.6
申请日：2011-01-27
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种静电容量高、且等效串联电阻(ESR)小的固体电解电容器及其制造方法。该固体电解电容器具备：由阀作用金属或其合金构成的阳极(1)；在阳极(1)的表面上设置的电介质层(2)；由通过烷基将至少2个膦酸基结合的偶联剂构成、在电介质层之上设置的第一偶联剂层(3)；在第一偶联剂层(3)之上设置的第一导电性高分子层(4)；和在第一导电性高分子层(4)的上方设置的阴极层(11)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1921170B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200610121831.X
申请日：2006-08-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01B1/00 , C07D333/20 , C07D495/04 , C07D495/22
CPC classification number: C07D333/20 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种有机半导体材料，其特征在于，包括具有仲胺或叔胺结构的胺单元和具有噻吩环结构的噻吩单元，其中胺单元的特征在于，优选具有以下结构。式中，R1、R2和R3为氢、可以有取代基的烷基、可以有取代基的烷氧基、可以有取代基的醚基、或可以有取代基的芳基，相互之间可以相同也可以不同。
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公开(公告)号：CN101714464A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910211663.7
申请日：2009-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01G9/15 , H01G9/0029 , Y10T29/417
Abstract: 本发明涉及一种固体电解电容器及其制造方法，上述固体电解电容器的特征在于，包括：由阀作用金属或其合金形成的阳极；在阳极的表面形成的电介质层；通过使用具有膦酸基的偶联剂对电介质层进行表面处理而形成的偶联剂层；在偶联剂层上形成的导电性高分子层；和在导电性高分子层上形成的阴极层。
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公开(公告)号：CN102651282A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210044710.5
申请日：2012-02-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01G9/07 , H01G9/0036 , H01G9/028 , H01G9/15
Abstract: 本发明提供固体电解电容器及其制造方法，该固体电解电容器的特征在于，具备阳极、设置于阳极的表面的电介质层、设置在电介质层上的偶联剂层、设置在偶联剂层上的导电性高分子层和设置在导电性高分子层上的阴极层，偶联剂层包含具有膦酸基的第一偶联剂和作为硅烷偶联剂的第二偶联剂。
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公开(公告)号：CN1703125B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200510008847.5
申请日：2005-02-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1433 , C09K2211/1458 , C09K2211/1466 , C09K2211/185 , C09K2211/186 , C09K2211/188 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0085 , H01L51/5036
Abstract: 本发明提供一种具备在一对电极之间配置的发光层的有机EL元件，其特征在于，发光层含有发光材料和基质聚合物，该基质聚合物包括为了能够向发光材料传递能量而与发光材料相互作用的第1单元和具有共轭或非共轭结构的第2单元。
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