公开(公告)号：CN101471186A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810190840.3

申请日：2008-12-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 太田妙子 ,  藤田政行 ,  梅本卓史 ,  野野上宽

IPC: H01G9/15 ,  H01G9/025 ,  H05K1/18 ,  H01M10/42

CPC classification number: H01G2/02 ,  H01G4/236

Abstract: 本发明提供电子部件、固体电解电容器和电路基板。该电子部件能够在在流动过大的短路电流的情况下维持截断电流的功能，同时能够实现小型化。在具有高分子层的电子部件中，该高分子层含有热膨胀性石墨。在为固体电解电容器的情况下，具备电容器元件(10)，电容器元件(10)具有：导出有阳极引线(1a)的阳极体(1)、在该阳极体(1)的表面上形成的电介质层(2)、在电介质层(2)之上形成的导电性高分子层(3)、和在该导电性高分子层(3)之上形成的阴极层(5)。并且，在导电性高分子层(3)中，在其内部整个层中含有会因热负载而发生膨胀的热膨胀性石墨(4)。

公开(公告)号：CN1192589A

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：CN97122666.0

申请日：1997-11-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 藤田政行 ,  前田笃志 ,  及川悟 ,  山野耕治 ,  久米实

IPC: H01L43/08

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明揭示了一种磁阻膜,它具有多层结构,包括:第一铁磁性层,第二铁磁性层,插入第一和第二铁磁性层之间的非磁性导电层,与第一和第二铁磁性层中的一层相耦合的反铁磁性层。反铁磁性层包括选自锑基合金、氟化物、FeRh基合金、FeS、IrMnCo基合金和CrAl基合金的反铁磁性材料。

公开(公告)号：CN101877281B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010214713.X

申请日：2010-04-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石川彻 ,  藤田政行 ,  佐野健志 ,  原田学

IPC: H01G9/15 ,  H01G9/028

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/028

Abstract: 本发明涉及静电电容高且耐热性优异的固体电解电容器。该固体电解电容器包括：阳极(2)；在阳极(2)的表面上设置的电介质层(3)；在电介质层(3)上设置的第一导电性高分子层(4a)；在第一导电性高分子层(4a)上设置的第二导电性高分子层(4b)；在第二导电性高分子层(4b)上设置的第三导电性高分子层(4c)；和在第三导电性高分子层(4c)上设置的阴极层，其特征在于：第一导电性高分子层(4a)由将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第二导电性高分子层(4b)由将噻吩或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第三导电性高分子层(4c)由将吡咯或其衍生物电解聚合而形成的导电性高分子膜构成。

公开(公告)号：CN101877281A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010214713.X

申请日：2010-04-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石川彻 ,  藤田政行 ,  佐野健志 ,  原田学

IPC: H01G9/15 ,  H01G9/028

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/028

Abstract: 本发明涉及静电电容高且耐热性优异的固体电解电容器。该固体电解电容器包括：阳极(2)；在阳极(2)的表面上设置的电介质层(3)；在电介质层(3)上设置的第一导电性高分子层(4a)；在第一导电性高分子层(4a)上设置的第二导电性高分子层(4b)；在第二导电性高分子层(4b)上设置的第三导电性高分子层(4c)；和在第三导电性高分子层(4c)上设置的阴极层，其特征在于：第一导电性高分子层(4a)由将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第二导电性高分子层(4b)由将噻吩或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第三导电性高分子层(4c)由将吡咯或其衍生物电解聚合而形成的导电性高分子膜构成。