公开(公告)号：CN112166167B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201980034252.7

申请日：2019-04-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尙兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  张俊英 ,  尹龙云

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。该蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。

公开(公告)号：CN105273196A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510016411.4

申请日：2015-01-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  金佑翰 ,  高尙兰 ,  柳鸿桢

IPC: C08G77/26 ,  C08G77/20 ,  C08G77/12 ,  C08G77/08 ,  H01L33/56

CPC classification number: C08L83/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08K5/20 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明提供一种可固化有机聚硅氧烷组合物、封装物以及电子装置。所述可固化有机聚硅氧烷组合物包含(A)由化学式1表示的酰胺化合物、(B)至少一种包含硅键结烯基(Si-Vi)并且具有三维网状结构的第一硅氧烷化合物以及(C)至少一种具有硅键结氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物：[化学式1]通过显著改良抗裂痕性以及保持高抗热与抗光性来确保发光装置的稳定性。

公开(公告)号：CN112384596B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201980046316.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  高尙兰 ,  金高恩

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及用于蚀刻半导体装置的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物或所述式2化合物的反应产物。式1或式2的R1、R2、R3、R6、R9至R12的定义与在本说明书中所述的定义相同。所述用于氮化硅层的蚀刻组成物可显著改善氮化硅层相对于氧化硅层的蚀刻选择性以及可防止在蚀刻期间和/或蚀刻之后使氧化硅层的厚度增加或使硅烷化合物通过自发反应沉淀。

公开(公告)号：CN112384596A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980046316.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  高尙兰 ,  金高恩

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及使用其用于蚀刻氮化硅膜的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物和/或所述式2化合物的反应产物。

公开(公告)号：CN112166167A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201980034252.7

申请日：2019-04-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尙兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  张俊英 ,  尹龙云

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。

公开(公告)号：CN105695165A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510452174.6

申请日：2015-07-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  郑日 ,  高尙兰 ,  金佑翰 ,  金哈尼 ,  尹熙灿 ,  李汉松

IPC: C11D7/60 ,  C11D7/24 ,  C11D7/26 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343

Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄膜用的冲洗溶液、二氧化硅薄膜及其生产方法。所述冲洗溶液包含：三甲基苯、二乙基苯、茚满、茚、叔丁基甲苯、甲基萘、包含具有12个或12个以上的碳的芳香烃的混合物、包含具有12个或12个以上的碳的脂肪烃的混合物、包含含有苯基和氧原子的杂烃化合物的混合物、或其组合。本发明的用于二氧化硅薄膜的冲洗溶液能够彻底剥离二氧化硅薄膜的界面区域。