公开(公告)号：CN118050954A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311347353.4

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任相均 ,  蔡承龙 ,  徐也隐 ,  成太根 ,  李旻映 ,  金智敏

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物，包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂；以及一种使用其形成图案的方法。

公开(公告)号：CN114647146A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]

公开(公告)号：CN119987131A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411432186.8

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林秀斌 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  禹昌秀 ,  李旻映 ,  成太根 ,  姜恩美 ,  金智敏 ,  张胜宇 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法。该半导体光刻胶组合物包含有机金属化合物和混合溶剂，该混合溶剂包含重量比为约1:99至约30:70的醇类化合物和非醇类化合物。

公开(公告)号：CN112666794B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]#imgabs0#[化学式2]#imgabs1#[化学式3]#imgabs2#

公开(公告)号：CN112666794A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]，[化学式2]，[化学式3]。

公开(公告)号：CN119335813A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410807870.3

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李旻映 ,  金智敏 ,  任浣熙 ,  司空峻 ,  千玟基 ,  禹昌秀 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/80 ,  G03F1/56

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及使用所述半导体光刻胶组合物来形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包含有机金属性化合物；含乙烯基的酸化合物；以及溶剂。

公开(公告)号：CN114647146B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]#imgabs0#。

公开(公告)号：CN117991584A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311349030.9

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李旻映 ,  韩承 ,  任相均 ,  金智敏 ,  徐也隐 ,  朴景铃

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物，包含有机金属化合物、由化学式1表示的添加剂以及溶剂，以及一种使用所述半导体光刻胶组合物形成图案的方法。化学式1的细节如说明书中所定义。

公开(公告)号：CN119439611A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410874416.X

申请日：2024-07-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  林雪熙 ,  李旻映 ,  金智敏

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/80 ,  G03F1/56

Abstract: 一种半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机金属性化合物和溶剂。提供一种利用所述半导体光刻胶组合物来形成(或提供)图案的方法。[化学式1](R1)n1‑M‑[(X)‑R2]m1。

公开(公告)号：CN117492324A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310577542.4

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  韩承 ,  蔡承龙 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  张水民 ,  任相均 ,  徐也隐 ,  姜恩美 ,  林秀斌 ,  文京守

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含第一有机金属化合物、第二有机金属化合物以及溶剂的半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物可提供具有改进的敏感性、分辨率以及存储稳定性的光刻胶图案。