公开(公告)号：CN115668056A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180036970.5

申请日：2021-08-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  金兑镐 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/025 ,  G03F7/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组成物及使用所述半导体光致抗蚀剂组成物形成图案的方法。所述组成物包含溶剂及由化学式1表示的有机金属化合物。化学式1的具体细节如在说明书中所定义。

公开(公告)号：CN113655689A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110510318.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  金宰贤 ,  文京守 ,  禹昌秀 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  田桓承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。

公开(公告)号：CN110780536A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910694739.X

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  金宰贤 ,  罗隆熙 ,  南宫烂 ,  田桓承 ,  蔡承龙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开涉及一种包含由化学式1表示的有机金属化合物以及溶剂的半导体抗蚀剂组合物，以及涉及一种使用所述组合物形成图案的方法及系统，其中，在化学式1中，R1是脂族烃基、芳族烃基或-亚烷基-O-烷基，且R2到R4分别独立地选自-ORa及-OC(＝O)Rb。本公开的半导体抗蚀剂组合物具有改善的耐刻蚀性、灵敏度且易于处置。[化学式1]

公开(公告)号：CN117492324A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310577542.4

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  韩承 ,  蔡承龙 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  张水民 ,  任相均 ,  徐也隐 ,  姜恩美 ,  林秀斌 ,  文京守

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含第一有机金属化合物、第二有机金属化合物以及溶剂的半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物可提供具有改进的敏感性、分辨率以及存储稳定性的光刻胶图案。

公开(公告)号：CN113495429A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110349838.1

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  金兑镐 ,  南宫烂 ,  文京守 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物、光酸产生剂(PAG)以及溶剂的半导体光刻胶组合物和使用其形成图案的方法。化学式1的细节如详细描述中所定义。[化学式1]。

公开(公告)号：CN114647146B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]#imgabs0#。

公开(公告)号：CN112666794B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]#imgabs0#[化学式2]#imgabs1#[化学式3]#imgabs2#

公开(公告)号：CN111856879B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010357520.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  文京守 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。#imgabs0#

公开(公告)号：CN113655689B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202110510318.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  金宰贤 ,  文京守 ,  禹昌秀 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  田桓承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。

公开(公告)号：CN112666794A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]，[化学式2]，[化学式3]。