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公开(公告)号：CN102569398A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN102569398B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN101165816A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710096631.8
申请日：2007-04-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN118553762A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410207415.X
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区域和第一背侧接触结构，第一背侧接触结构在第一源极/漏极区域正下方，连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域和在第二源极/漏极区域正下方的第一占位体隔离结构；以及背侧隔离结构，在半导体器件的背侧上，围绕第一背侧接触结构和第一占位体隔离结构。
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公开(公告)号：CN116960128A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310429553.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种多堆叠半导体器件，包括：衬底；下堆叠纳米片晶体管，包括被下栅极结构围绕的两个或更多个下沟道层，下沟道层连接下源极/漏极区；以及上堆叠纳米片晶体管，形成在下堆叠纳米片晶体管上方并且包括被上栅极结构围绕的两个或更多个上沟道层，上沟道层连接上源极/漏极区，其中下堆叠纳米片晶体管和上堆叠纳米片晶体管具有以下至少之一：下沟道层中的一个的厚度与上沟道层中的一个的厚度之间的差异；以及两个相邻的下沟道层之间的下栅极结构的厚度与两个相邻的上沟道层之间的上栅极结构的厚度之间的差异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101165816B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200710096631.8
申请日：2007-04-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN119967902A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411509442.9
申请日：2024-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了堆叠场效应晶体管（FET）装置及相关制造方法。堆叠FET装置包括具有下沟道层和在下沟道层之间的下逸出功金属（WFM）层的下FET。堆叠FET装置包括在下FET的顶部上的上FET。上FET具有上沟道层和在上沟道层之间的上WFM层。此外，堆叠FET装置包括在上WFM层上的绝缘覆盖层。
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公开(公告)号：CN119786469A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411292811.3
申请日：2024-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H10D64/27 , H10D62/17
Abstract: 提供了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置可包括：沟道结构；栅极结构，在沟道结构上；以及栅极接触结构，在栅极结构上，栅极接触结构被配置为接收栅极输入信号，其中，栅极接触结构是栅极结构本身的部分，并且由栅极结构的所述部分形成。
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公开(公告)号：CN119521768A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411064035.1
申请日：2024-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。作为一示例，一种集成电路器件可以包括：基板；第一晶体管结构，在基板上；第二晶体管结构，在垂直方向上堆叠在第一晶体管结构上；隔离层，在垂直方向上在第一晶体管结构和第二晶体管结构之间；以及二极管结构，在基板上并在水平方向上与第一晶体管结构相邻。二极管结构可以是在第二晶体管结构的栅电极和基板之间的放电路径的一部分。放电路径可以延伸穿过隔离层。
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公开(公告)号：CN118969795A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410585490.X
申请日：2024-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , G01R27/08 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/66
Abstract: 提供了半导体器件和用于测量半导体器件中的接触电阻的方法。该半导体器件包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区，其上具有第二接触插塞；第三源极/漏极区；第二金属线，在第二接触插塞上，第二通路在第二金属线和第二接触插塞之间；以及第一附加金属线，在第二接触插塞上，第一附加通路在第一附加金属线和第二接触插塞之间，其中第二源极/漏极区设置在第一源极/漏极区和第三源极/漏极区之间并且连接到第一源极/漏极区和第三源极/漏极区，以及其中第二金属线和第一附加金属线在第二接触插塞上在第二水平方向上彼此间隔开第一预定距离。
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