公开(公告)号：CN117448824A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311566341.0

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/18 ,  C23F1/28 ,  C09K13/06

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN111410964A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010013430.2

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  金荣灿 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训 ,  金益熙

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

Abstract: 本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。

公开(公告)号：CN110911278A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN109749743A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811319973.6

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 韩勋 ,  裴相元 ,  洪荣泽 ,  朴宰完 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。

公开(公告)号：CN110911278B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN119768763A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380062396.X

申请日：2023-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高兑昍 ,  严弘烈 ,  韩勋 ,  文春卿 ,  裴钟爀 ,  李昇俊

IPC: G06F3/0484 ,  G02B27/01 ,  G06F3/01 ,  G06T19/00 ,  G06F3/00

Abstract: 根据本公开的一个实施例，一种电子设备显示外部设备的通知的方法可以包括以下步骤：从外部设备获得通知信息；获得外部设备的位置信息；基于所获得的外部设备的位置信息来确定显示器以视频透视（VST）显示的第一区域的位置和尺寸；将第一区域显示为VST。

公开(公告)号：CN119654836A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380057975.5

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文春卿 ,  金度亨 ,  刘注莲 ,  李昇俊 ,  林镛埈 ,  韩勋

IPC: H04L12/28 ,  G06F3/01 ,  H04Q9/04 ,  G16Y10/80 ,  G16Y40/30

Abstract: 根据实施例，一种电子装置可以包括；通信模块；以及至少一个处理器。该至少一个处理器可以被配置为检测第一遥控装置。该至少一个处理器可以被配置为通过通信模块建立与第一遥控装置的通信连接。该至少一个处理器可以被配置为确定要使用第一遥控装置控制的第一外部电子装置。该至少一个处理器可以被配置为使得通信模块能够在该电子装置和第一外部电子装置之间建立通信连接。该至少一个处理器可以被配置为执行用于将第一遥控装置的至少一个按键与第一外部电子装置的至少一个功能进行映射的操作。该至少一个处理器可以被配置为通过使用第一遥控装置和第一遥控装置的该至少一个按键来控制第一外部电子装置执行该至少一个功能。

公开(公告)号：CN118679446A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202280091260.7

申请日：2022-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金詺珪 ,  高兑昍 ,  俞珍善 ,  千佳元 ,  韩勋 ,  池允贞 ,  裵钟爀 ,  严弘烈

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/00 ,  G06T19/00 ,  G06F3/14 ,  G06F3/0484 ,  H04N13/122 ,  H04N13/133 ,  H04N13/117 ,  H04N13/183

Abstract: 根据实施例的电子设备包括：传感器模块，所述传感器模块包括用于测量所述电子设备的环境照度的光敏电阻器；显示模块，包括主显示器和子显示器；存储器，所述存储器包括可由计算机执行的指令；以及处理器，所述处理器访问所述存储器并执行所述指令。所述处理器可以：识别通过主显示器传输并显示给用户的一个或多个真实对象；选择一个或多个所识别的真实对象当中的一个作为目标对象；基于所述电子设备的所述环境照度来确定所述电子设备的可见性等级，以及基于所确定的可见性等级，在所述主显示器和所述子显示器中的至少一个上显示与所选择的目标对象相对应的至少一条增强现实(AR)内容。

公开(公告)号：CN115598942A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210794402.8

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李旻映 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。

公开(公告)号：CN1444126A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN02154076.4

申请日：2002-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰炫 ,  韩勋 ,  李光宰

IPC: G06F3/00 ,  G06F17/50 ,  G06T17/00

CPC classification number: G06F17/50

Abstract: 提供了一种渲染系统和方法及其记录介质。所述渲染系统经由一接口从3D CAD系统中输入关于在商用3D CAD系统中产生的三维(3D)计算机辅助设计(CAD)模型的几何体和层级结构信息，执行渲染所需的场景编辑而不改变初始的建模数据，并且接着执行渲染。因此，不需要校正几何体数据和恢复层级结构信息，并且渲染能够在短时间内容易地执行。