公开(公告)号：CN117855233A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311277946.8

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： R·H·西迪克 ,  M·托尔弗 ,  冯子青 ,  Y·M·王

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了一种用于图像传感器的像素以及图像传感器。该像素包括光电二极管、薄膜层和反射层。光电二极管包括第一侧和与第一侧相对的第二侧，并在第一侧接收入射光。薄膜层形成在光电二极管的第一侧上并为从光电二极管传递到薄膜层的光提供单向相移。薄膜层具有比形成光电二极管的材料的折射率小的折射率。单向相移可以是在目标近红外光波长处的单向π相移。反射层形成在光电二极管的第二侧上并将从光电二极管传递到反射层的光朝向光电二极管的第一侧反射。反射层可以是薄膜纳米结构层、分布式布拉格反射器层或金属。

公开(公告)号：CN119230572A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410844327.0

申请日：2024-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： R·H·西迪基 ,  Y·M·王 ,  T-C·冯

IPC: H01L27/146 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器的像素及其制造方法。在一个或多个示例中，该方法包括在像素的衬底层上形成金属层，该金属层反射入射在像素上的电磁辐射；在像素的硅层上形成光电检测器，光电检测器基于电磁辐射生成光电子；以及在硅层上方形成钝化层，钝化层包括薄膜电介质。在一个或多个示例中，该方法包括在钝化层上形成纳米结构，该纳米结构允许电磁辐射穿过纳米结构并将电磁辐射线性地导向光电检测器，以及在纳米结构上形成微透镜，该微透镜包括平坦涂层或弯曲透镜层中的至少一个。

公开(公告)号：CN118016682A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311476199.0

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： T·C·冯 ,  Y·M·王

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种用于CMOS图像传感器的像素单元包括将像素晶体管区域与像素光电二极管区域隔离的隔离结构。在图像传感器的前侧处，隔离结构包括第一浅沟槽隔离(STI)结构、第二STI结构、在第一STI结构和第二STI结构之间的半导体区域以及由p型半导体形成的注入区域，该注入区域与半导体区域接触并朝向图像传感器的背侧延伸。半导体区域由第一类型半导体形成。在图像传感器的背侧处，隔离结构包括从背侧朝向前侧延伸并接触注入区域的沟槽隔离结构。