-
公开(公告)号：CN117855233A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311277946.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种用于图像传感器的像素以及图像传感器。该像素包括光电二极管、薄膜层和反射层。光电二极管包括第一侧和与第一侧相对的第二侧，并在第一侧接收入射光。薄膜层形成在光电二极管的第一侧上并为从光电二极管传递到薄膜层的光提供单向相移。薄膜层具有比形成光电二极管的材料的折射率小的折射率。单向相移可以是在目标近红外光波长处的单向π相移。反射层形成在光电二极管的第二侧上并将从光电二极管传递到反射层的光朝向光电二极管的第一侧反射。反射层可以是薄膜纳米结构层、分布式布拉格反射器层或金属。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
