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公开(公告)号：CN119230572A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410844327.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器的像素及其制造方法。在一个或多个示例中，该方法包括在像素的衬底层上形成金属层，该金属层反射入射在像素上的电磁辐射；在像素的硅层上形成光电检测器，光电检测器基于电磁辐射生成光电子；以及在硅层上方形成钝化层，钝化层包括薄膜电介质。在一个或多个示例中，该方法包括在钝化层上形成纳米结构，该纳米结构允许电磁辐射穿过纳米结构并将电磁辐射线性地导向光电检测器，以及在纳米结构上形成微透镜，该微透镜包括平坦涂层或弯曲透镜层中的至少一个。
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