公开(公告)号：CN103887425A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713668.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  V.尼基丁 ,  S.M.沃茨

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1675

Abstract: 本发明提供了磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法。该磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层、非磁性间隔层和参考层相对于基板形成非零度角。该磁性结被配置使得当写入电流穿过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。

公开(公告)号：CN103887425B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201310713668.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  V.尼基丁 ,  S.M.沃茨

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法。该磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层、非磁性间隔层和参考层相对于基板形成非零度角。该磁性结被配置使得当写入电流穿过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。

公开(公告)号：CN103887424B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201310713553.7

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S.M.沃茨 ,  文基锡

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L29/82 ,  G11C11/161 ,  H01L29/66007 ,  H01L43/08

Abstract: 本公开提供了磁性结及其提供方法以及磁存储器。该磁性结包括参考叠层、非磁性间隔层和自由层。参考叠层包括高垂直磁各向异性（PMA）层和在高PMA层与非磁性间隔层之间的渐变的极化增强层（PEL）。PEL与参考层磁耦合。PEL包括磁性层和非磁性插入层。PEL的至少部分具有比PMA层的自旋极化大的自旋极化。非磁性插入层配置为使得磁性层被铁磁耦合并使得高PMA和非磁性间隔层的结晶取向消除相互影响。在没有其余非磁性插入层的情形下，每个非磁性插入层的厚度不足以使所述结晶取向消除相互影响。当写电流流过磁性结时，自由层可在稳定的磁状态之间切换。

公开(公告)号：CN103887424A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713553.7

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S.M.沃茨 ,  文基锡

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L29/82 ,  G11C11/161 ,  H01L29/66007 ,  H01L43/08

Abstract: 本公开提供了磁性结及其提供方法以及磁存储器。该磁性结包括参考叠层、非磁性间隔层和自由层。参考叠层包括高垂直磁各向异性（PMA）层和在高PMA层与非磁性间隔层之间的渐变的极化增强层（PEL）。PEL与参考层磁耦合。PEL包括磁性层和非磁性插入层。PEL的至少部分具有比PMA层的自旋极化大的自旋极化。非磁性插入层配置为使得磁性层被铁磁耦合并使得高PMA和非磁性间隔层的结晶取向消除相互影响。在没有其余非磁性插入层的情形下，每个非磁性插入层的厚度不足以使所述结晶取向消除相互影响。当写电流流过磁性结时，自由层可在稳定的磁状态之间切换。